1) locally active three-terminal device
局部有源三端器件
2) active element
有源部件
3) three port device
三端器件
1.
The analysis and optimizing design for three port device drain mixer in Ka band were given.
对 Ka频段三端器件漏极混频器电路进行了分析和优化设计 。
4) active device
有源器件
1.
Modeling method of finite-difference time-domain based on frequency network models of active devices;
基于频域网络模型的有源器件时域有限差分建模方法
2.
A new method of testing the voltage-current characteristic of an active device was put forward.
提出了利用窄脉冲、定电压、电子负载进行自动测量有源器件伏安特性的新方法 ,该方法既可测出真实的短路电流 ,且能保证内阻较小的有源器件不会在测量过程中因过热而损坏 ,给出了测量系统硬件电路框图 ,该测量系统由定电压电子负载电路、峰值采样 -保持电路和单片机测控线路三部分组成 。
5) active devices
有源器件
1.
Tracing the advances over the recent years,a number of elegant and useful current-mode circuits and active devices are described.
本文综述了电流型模拟电路信号处理技术的一些新进展，简单介绍了近几年来出现的一些新型的电流型有源器件与电路模型。
2.
An analysis of microwave active circuits using FDTD method with the emphasis on the several methods with which to simulate the active devices in the microwave circuits is studied in details in this paper.
最后，本文通过编程模拟了微波电路中的无源线性器件电阻和非线性器件二极管，含有有源器件Gunn二极管的有源集成微带天线以及介质腔谐振器等具体实例，来验证各种方法的可行性和有效性，计算结果与实验结果吻合。
6) three terminal device
三端结器件
1.
Co/Cu/FeNi three terminal device prepared by magnetron sputtering;
磁控溅射制备Co/Cu/FeNi三端结器件
补充资料：太阳局部射电源
太阳大气中电子密度和温度较高并且渗进黑子磁场的区域，从此发出较宁静太阳射电背景为高的辐射。这种发自局部源的射电称为太阳缓变射电，一般认为是起源于轫致辐射和磁回旋加速辐射的联合机制。辐射频谱通常在5～10厘米波长处达到峰值,而偏振频谱则在短厘米波长上达到峰值。辐射强度随射电源离开日面中心越远而越小。通过高分辨率的射电观测在厘米波段发现：局部源的形状和大小与有关的黑子相对应。另外，局部源的大小还取决于黑子磁场，双极黑子群上空的源的大小平均为1奞4，单极黑子的大小平均为2奞2，辐射亮温度为105～8×105K，有时可达到 1.5×106～2×106K。这种局部源在光球上空的高度为0.018～0.08 个太阳半径。在分米波段，源的形状和大小与谱斑相对应。局部源大小一般为 5┡，有时可达10┡，其辐射亮温度为6×105～1×106K。源在光球上空的高度为 0.03～0.15个太阳半径。简单地说，太阳局部射电源有两类：一为与黑子有关的强而小的源；一为与谱斑有关的弱而大的源。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条