1) chemical aftereffect
化学滞后效应
2) chemical aftereffect of nuclear reaction
核反应的滞后化学效应
3) hysteresis effect
滞后效应
1.
Numerical simulation of near-miscible flooding of water alternating gas considered hysteresis effect;
考虑滞后效应的水气交替近混相驱数值模拟
2.
Theoretical analysis and experimental results have showed that the mutual relationships between flow rates and partial pressures of reactive gases exhibiting hysteresis effect, and optimum plating technics locate in its hysteresis region.
理论分析与试验结果表明:反应气体流量随其压力的变化呈滞后效应,最佳镀膜工艺位于滞后区域。
3.
The non reversibility structure change of melt superheat causes the hysteresis effect on physical properties of melt superheat.
这种不可逆变化与合金熔体中结构不均匀性有关 ,即熔体过热处理引起非均匀形核中心数量的不可逆变化 ,导致熔体粘滞性 η和溶质扩散系数DL 出现滞后效
4) lag effect
滞后效应
1.
A Study on Model of Crop response to water in consideration of\=lag effect with limited water deficit;
考虑缺水滞后效应的作物-水模型研究
2.
Lag effect of silver nanoparticle interacting with serum albumin;
银纳米粒子与血清白蛋白相互作用的滞后效应
3.
In this paper, we try to make a quantitative analysis of the economic effect of China’s transport investment in the past 50 years, and analyze its lag effect with a model.
本文对过去50年中国交通运输基础设施投资与经济发展关系进行定量分析和模型拟合,定量刻画了中国交通投资与国民经济的历史关系,对交通投资滞后效应进行了模型化分析。
5) hysteresis
[英][,histə'ri:sis] [美][,hɪstə'risɪs]
滞后效应
1.
Diurnal Changes of Photosynthesis and Its Hysteresis to Light in Rice(Oryza sativa L.),Soybean(Glycine max L.Merrill) and Maize(Zea mays L.);
水稻、大豆、玉米光合速率的日变化及其对光强响应的滞后效应
2.
It indicates that it will lead to hysteresis within 930～ 1170 ℃ It is a reversible transition The monoclinic phase is stable at normal temperature ZrO 2 added with Y 2O 3 will increase its phase with stable tetragonal and cub.
通过DTA分析和X衍射技术研究低温水合ZrO2 和高温ZrO2 的相变过程 ,证实了氧化锆相系变化的特性 ,表明ZrO2 由单斜向四方转变时 ,产生滞后效应 ,其温区范围在 93 0～ 1170℃之间。
3.
The first-order reversal curve(FORC) diagrams is regarded as a topic of interest in both physics and geology,and scientists take this method as "fingerprint" of hysteresis.
一阶回转曲线(first-order reversal curve简称FORC)图谱法被视为研究滞后效应领域中的"指纹鉴定",受到了地质学界和物理学界的科学家极大的关注。
6) lagging effect
滞后效应
1.
The current effect and the lagging effect of foreign direct investment (FDl)on economy growth in Guangxi by econometrics model are analyzed and that FDI contribution to economic growth in Guangxi are found.
以“支出法”为依据建立计量经济模型,利用1990～2003年时间序列数据对外国直接投资与广西经济增长的关系进行计量分析,从中发现前者对后者具有正面的当前效应和滞后效应。
2.
The current effect and the lagging effect of foreign direct investment (FDI) on economy increase of Hunan province by econometrics model are analyzed and that FDI contribution to economy increase of Hunan province is found.
以“支出法”为依据建立计量经济模型,分析外国直接投资对湖南经济增长的当前效应和滞后效应,从中发现前者对后者做出了不可忽视的贡献。
3.
The lagging effect is a sign of the long causality of the things.
滞后效应是事物长程因果关系的表征。
补充资料：场效应化学传感器
使用场效应晶体管检出气体、离子、分子、水分等化学成分的传感器。当场效应化学传感器与外界化学物质接触时，在场效应晶体管的绝缘层与溶液（或气体）的界面形成双电层。这种双电层所产生的电场能够引起半导体表面导电性能的变化，因此可用于检测化学物质的量。
氢敏场效应晶体管 用具有催化活性的金属，如钯(Pd)等，作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极金属，可制成一种新型氢敏器件钯栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Pd-MOSFET，图1）。当氢气到达钯栅外表面时,由于钯的催化分解作用,氢气分解为氢原子。氢原子通过钯层扩散并吸附于Pd-SiO2界面,产生一个偶极层,同时引起Pd-MOSFET伏安曲线的位移。根据电压漂移量可以得知外界氢气浓度。只要在界面上存在少量氢原子即可引起一定的电压漂移,因而Pd-MOSFET灵敏度很高（在空气中为1ppm，在惰性气氛中为0.03ppb）。
场效应湿敏传感器 在MOS结构中，栅氧化膜 SiO2(厚度为800埃)上附加一层多孔氧化铝(Al2O3,厚度小于1微米),其上再淀积一层透水性金电极。采用这种结构作为MOSFET的栅电极可以直接控制半导体的界面电荷，器件电容会随相对湿度而变化，因此可制成湿敏器件。另外,使用感湿性聚合物代替Al2O3也可制成MOSFET型湿敏器件。
场效应烟敏传感器 在MOSFET的栅极上附上一层聚合物薄膜，当在 P型衬底与栅电极之间加上直流脉冲时，注入的正电荷渐渐扩展到聚合物薄膜上，同时在沟道上渐渐感应出负电荷。当这种扩展达到一定程度时，源与漏之间被导通。在发生火灾时，由于温度升高、烟雾或燃烧时产生的气体触及器件都会使电荷扩展速度提高，所以这种MOSFET可用于火灾报警。
场效应离子传感器 图2为离子选择性场效应晶体管(ISFET)的测量电路。当ISFET的栅绝缘膜上有一层能对电解液中特定离子产生响应的离子感应层时，离子感应层和电解液间的界面电位大小取决于电解液中特定离子的活度。界面电位的变化通过电场效应造成 FET漏电流(Id)的变化。因此利用Id的变化就可反映界面电位的变化。 ISFET表面和电解液界面电位的产生机理是:表面有羟基存在,并随表面成分形成M─OH（如Si─OH,Al─OH，Ta─OH等）,M─OH与电解液中H+离子之间存在下列离解平衡：
M─OH 匑 M─O-+H+
式中 M─O-和电解液一侧的水合阳离子共同组成界面双电层。M─O-的密度随电解液中H+浓度而变化。因此对应不同的H+浓度产生不同的界面电位。当采用硅铝酸盐作离子敏感层材料时,敏感膜一端造成的电场比M─O-所造成的电场弱，由于离子水合能的原因表现出对Na+、K+的选择性，可用于测Na+、K+的浓度。测量不同离子须使用不同的敏感膜。敏感膜材料有二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽、硅酸铝、硼硅酸盐、 硅铝酸钠(NAS玻璃)和含有离子交换物质的聚氯乙烯膜等。栅绝缘膜与电解液间界面电位的变化用图2的电路测量。
超小型ISFET尖端栅部的硅可做成30微米宽。ISFET的突出优点为小型化，在医学上可用于研究细胞中的离子行为，这是生理学和生物物理学研究的重要题目。测量血液中的pH值，可以解决蛋白质吸附和抗血栓问题。将ISFET埋入假牙中，可连续测定齿垢中pH值,进行龋齿病研究。将pH与pNa用的ISFET做在一起，可做成多离子选择性传感器，与参比电极集成在一起可制成复合传感器。
氢敏场效应晶体管 用具有催化活性的金属，如钯(Pd)等，作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极金属，可制成一种新型氢敏器件钯栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Pd-MOSFET，图1）。当氢气到达钯栅外表面时,由于钯的催化分解作用,氢气分解为氢原子。氢原子通过钯层扩散并吸附于Pd-SiO2界面,产生一个偶极层,同时引起Pd-MOSFET伏安曲线的位移。根据电压漂移量可以得知外界氢气浓度。只要在界面上存在少量氢原子即可引起一定的电压漂移,因而Pd-MOSFET灵敏度很高（在空气中为1ppm，在惰性气氛中为0.03ppb）。
场效应湿敏传感器 在MOS结构中，栅氧化膜 SiO2(厚度为800埃)上附加一层多孔氧化铝(Al2O3,厚度小于1微米),其上再淀积一层透水性金电极。采用这种结构作为MOSFET的栅电极可以直接控制半导体的界面电荷，器件电容会随相对湿度而变化，因此可制成湿敏器件。另外,使用感湿性聚合物代替Al2O3也可制成MOSFET型湿敏器件。
场效应烟敏传感器 在MOSFET的栅极上附上一层聚合物薄膜，当在 P型衬底与栅电极之间加上直流脉冲时，注入的正电荷渐渐扩展到聚合物薄膜上，同时在沟道上渐渐感应出负电荷。当这种扩展达到一定程度时，源与漏之间被导通。在发生火灾时，由于温度升高、烟雾或燃烧时产生的气体触及器件都会使电荷扩展速度提高，所以这种MOSFET可用于火灾报警。
场效应离子传感器 图2为离子选择性场效应晶体管(ISFET)的测量电路。当ISFET的栅绝缘膜上有一层能对电解液中特定离子产生响应的离子感应层时，离子感应层和电解液间的界面电位大小取决于电解液中特定离子的活度。界面电位的变化通过电场效应造成 FET漏电流(Id)的变化。因此利用Id的变化就可反映界面电位的变化。 ISFET表面和电解液界面电位的产生机理是:表面有羟基存在,并随表面成分形成M─OH（如Si─OH,Al─OH，Ta─OH等）,M─OH与电解液中H+离子之间存在下列离解平衡：
M─OH 匑 M─O-+H+
式中 M─O-和电解液一侧的水合阳离子共同组成界面双电层。M─O-的密度随电解液中H+浓度而变化。因此对应不同的H+浓度产生不同的界面电位。当采用硅铝酸盐作离子敏感层材料时,敏感膜一端造成的电场比M─O-所造成的电场弱，由于离子水合能的原因表现出对Na+、K+的选择性，可用于测Na+、K+的浓度。测量不同离子须使用不同的敏感膜。敏感膜材料有二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽、硅酸铝、硼硅酸盐、 硅铝酸钠(NAS玻璃)和含有离子交换物质的聚氯乙烯膜等。栅绝缘膜与电解液间界面电位的变化用图2的电路测量。
超小型ISFET尖端栅部的硅可做成30微米宽。ISFET的突出优点为小型化，在医学上可用于研究细胞中的离子行为，这是生理学和生物物理学研究的重要题目。测量血液中的pH值，可以解决蛋白质吸附和抗血栓问题。将ISFET埋入假牙中，可连续测定齿垢中pH值,进行龋齿病研究。将pH与pNa用的ISFET做在一起，可做成多离子选择性传感器，与参比电极集成在一起可制成复合传感器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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