1) silicon optoelectronic device
硅光电子器件
2) silicon based optoelectronic devices
硅基光电子器件
3) silicon optoelectronic devices
硅光电器件
4) silicon photonic devices
硅基光子器件
1.
Stimulated by the ever-increasing demands of wide-bandwidth in optical communication and highperformance computing in microprocessor,silicon photonic devices are entering into the integrated and low-cost trend,and series of significant breakthrough both in theory and technology are achieved.
光通信对高带宽要求的不断增强以及计算机芯片对高性能计算的不断需求刺激了硅基光子器件的发展,使之向集成化、低成本方向发展,并取得了一系列重要的理论和技术突破。
5) silicon photo negative resistance device
硅光电负阻器件
1.
A new type of photo isolator has been developed by packing light emitting devices with silicon photo negative resistance devices face to face to realize electrical isolation.
将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起 ,其间实现电隔离 ,构成一种新型光耦合器。
6) silicon-based optoelectronic device
硅基光电器件
补充资料：半导体光电子器件
| 半导体光电子器件 semiconductoroptoelectronic device 利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。 分为三大类：①发光二极管 （LED） 和激光二极管（LD）： 将电能转换成光辐射的电致发光器件 。发光管的发散角大，光谱范围宽，寿命长，可靠性高，调制电路简单，成本低，广泛用于速率不太高、传输距离不太远的通信系统，以及显示屏和自动控制等。激光管的光谱较窄、发散角小、方向性强、色散小，于1962 年研制成功后，得到迅速发展，广泛用于大容量、长距离的光纤通信系统以及光电集成电路。缺点是温度特性差，寿命比 LED 短。②光电探测器或光电接收器：通过电子过程探测光信号的器件。即将射到它表面上的光信号转换为电信号，如 PIN光电二极管和雪崩光电二极管（ APD ）等，目前广泛用于光纤通信系统。③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。它能把阳光以高效率直接转换成电能，以低运行成本提供永久性的电力，并且没有污染，为最清洁的能源。根据其结构不同，其效率可达5％～20％。 |
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参考词条