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1)  photovoltaic conversion,photovoltaic transduction
光生伏打转换
2)  photovoltaic converter
光生伏打转换器
3)  solar photovoltaic conversion
太阳能光生伏打转换<能>
4)  photovoltaic energy conversion
光生伏打能量转换
5)  photovoltaic [英][,fəutəuvɔl'teiik]  [美][,fotovɑl'teɪk, -vol-]
光生伏打
1.
All of the magneto-photovoltaic tensor elements are tabulated.
对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元。
2.
For VIS-light photorefraction,Q polarons are introduced to explain the weak photovoltaic effect in LiNbO3 with low composition,and bipolarons are considered to be responsible for the enhanced photovoltaic field in LiNbO3 with high composition.
在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场。
6)  converion of solar energy
光伏转换
补充资料:光生伏打效应
      由光照引起电动势的现象。严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应,而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
  
  半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结;金属和半导体接触的界面;不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属-绝缘体-半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子-空穴对,在自建电场作用下的运动,就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
  
  在PN结交界面处N区一侧带正电荷,P区一侧带负电荷,空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子-空穴对,它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子-空穴对,只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷,在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候,便达到稳定情况,这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来,则有一股电流流过,在外电路负载电阻很低的情况,这股电流就等于光致电流,称为短路电流。
  
  光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能,称为太阳电池。目前,用硅单晶材料制造的太阳电池,已经广泛地应用于很多技术部门,特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后,很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外,利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
  

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