1) photovoltaic photodetector
光生伏打光电检测器<光>
3) voltaic photo-detector
伏打光检测器
4) photovoltaic detector
光生伏打探测器
5) photovoltaic array
光生伏打器
6) photovoltaic
[英][,fəutəuvɔl'teiik] [美][,fotovɑl'teɪk, -vol-]
光生伏打
1.
All of the magneto-photovoltaic tensor elements are tabulated.
对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元。
2.
For VIS-light photorefraction,Q polarons are introduced to explain the weak photovoltaic effect in LiNbO3 with low composition,and bipolarons are considered to be responsible for the enhanced photovoltaic field in LiNbO3 with high composition.
在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场。
补充资料：光二极管阵列检测器
分子式：
CAS号：
性质：是刻蚀在硅片上的按一定规律排列为线型或面型的光敏二极管阵列，光敏二极管的数目通常是512、1024或2048个，投射到硅片上的光子使光敏二极管充电，光越强，所充的电荷越多。聚集的电荷由移位寄存器扫描电路依次转变成为检测器的输出信号。这些光敏二极管并联工作，能快速同时检测从200～900nm范围的全谱信息。
CAS号：
性质：是刻蚀在硅片上的按一定规律排列为线型或面型的光敏二极管阵列，光敏二极管的数目通常是512、1024或2048个，投射到硅片上的光子使光敏二极管充电，光越强，所充的电荷越多。聚集的电荷由移位寄存器扫描电路依次转变成为检测器的输出信号。这些光敏二极管并联工作，能快速同时检测从200～900nm范围的全谱信息。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条