1) photovoltaic
光生伏打的
2) photoproduction
光生
1.
Hadron and photon productionin in photoproduction processes at HERA;
HERA光生过程中的强子与光子产生
2.
The production cross sections of Higgs bosons via photoproduction processes in p collisions with CMS energy 14?TeV and 200?TeV at LHC have been calculated.
计算了LHC条件下 ,p p以质心系能量为 s =1 4TeV以及 2 0 0TeV碰撞过程中的光生标准模型Higgs玻色子截面 。
3.
The production cross sections of supersymmetric neutral Higgs bosons A 0,h 0 and H 0 via photoproduction processes in p collisions with CMS energy 200?TeV at VLHC have been calculated.
计算了VLHC条件下 p p碰撞在 2 0 0TeV质心系能量下的SUSY中性Higgs玻色子A0 ,h0 ,H0的光生截面 。
3) photoacid generator
光生酸剂
1.
Design and Synthesis of Photoacid Generator with High Efficiency and Research on Performance;
高效光生酸剂的设计合成与性能研究
2.
Synthesis and Indication of Photoacid Generator Derived From Triphenylamine;
一种基于三苯胺类光生酸剂的制备与表征
3.
Design, Synthesis and Performance of Photoacid Generator with High Efficiency;
高效光生酸剂的设计合成及性能研究
4) photovoltaic
光生伏打
1.
All of the magneto-photovoltaic tensor elements are tabulated.
对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元。
5) photoacid generator
光生酸
1.
A series of triazine derivatives (1a—1e) were synthesized in moderate yields as photoacid generators.
合成了一系列的三嗪类光生酸剂1a—1e,确定了它们的结构,并对1e在乙腈溶剂中365和405nm光下的曝光分解产酸性能进行了初步的定量研究。
6) Photoelectron
光生电子
1.
The effect of the content of Cd on the temporal process of photoelectron,luminescence spectrum and thermo-luminescence were studied.
研究了Cd含量对电致发光亮度、发光光谱、光生电子瞬态过程和热释光的影响。
参考词条
补充资料：光生伏打效应
由光照引起电动势的现象。严格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方，但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应，而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。