1) high voltage interface circuit,HIC
高压接口电路
2) high pressure loop port
高压回路接口
3) high-speed interface circuit
高速接口电路
1.
Focusing on the data acquisition and formation module of a certain synthetic aperture radar system,a design method for high-speed interface circuits with ChipSync technology based on Virtex-4 FPGA is presented.
具体阐述了高速接口电路的结构框图、片同步技术的优点、高速接口电路时钟网络的分配和接口电路的详细设计方案。
4) interface circuit
接口电路
1.
Improvement in voltage interface circuit of the mud logging unit.;
综合录井仪电压型接口电路的改进
2.
Terminal interface circuit design of VoWLAN;
VoWLAN终端接口电路设计
3.
Design of interface circuit to dating apparatus with optical stimulated luminescence;
光释光断代仪的接口电路设计
5) Interface
[英]['ɪntəfeɪs] [美]['ɪntɚ'fes]
接口电路
1.
Simple and Practical Interface of A/D Converter;
一种简单实用的A/D转换接口电路
2.
The I/O circiuts arethe interface of LCU and must be up to the standards.
其输入输出电路是逻辑控制单元对外界的接口电路,它必须符合电力机车的有关标准。
3.
The interface between ADS8323 and high-speed FIFO is designed and implemented by CPLD in the paper.
以CPLD为逻辑控制核心实现了ADS8323与高速FIFO的接口电路,该电路具有可靠性高、通用性强、易于移植等特点。
6) interface circuits
接口电路
1.
Study on three interface circuits between ICL7135 and single-chip computer;
ICL7135与单片机的三种接口电路分析研究
2.
According to 8031 SCM both the hardware interface circuits and software design methods are presented.
介绍了T6 96 3C液晶显示控制器及SMG2 4 0 12 8图形点阵式液晶显示模块 (LCM)的工作原理 ,并以 80 31单片机为例 ,论述了微机测控系统中LCM的硬件接口电路和软件模块设计方法。
3.
Composition of liquid level control system of multi-capacity object is introduced while the design and mechan sim of the interface circuits is stressed.
介绍了多容对象液位控制系统的组成，着重论述了其接口电路的设计方法及工作原理，根据对象特性和控制指标设计了相应的控制算法，并对系统抗扰动能力进行了试验。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条