补充资料：传质单元高度

    　　在逆流操作的微分接触传质设备中，使浓度变化达到传质单元数为 1所需的设备接触传质段高度。传质单元高度综合反映了设备的传质特性，可根据两相的流量和传质总系数分别用下式计算：
　　
　　　 式中(HTU)和(HTU)分别为用x相和y相参数表示的传质单元高度；C_x和C_y分别为两相的摩尔流率；K_Ox和K_Oy分别为以x相摩尔分率差和y相摩尔分率差为推动力的两相的传质总系数；α为比表面积,即单位设备体积的传质面积。传质单元高度的概念，广泛应用于吸收、萃取和精馏等的设计计算中。已知传质单元高度和传质单元数，其乘积即为完成给定分离任务所需的设备接触传质段高度。两相流速有变化时,传质系数的变化较大,传质单元高度的变化较小。因此，在逆流操作的微分接触传质设备的放大设计时，采用传质单元高度的计算方法，较为方便和可靠。
　　
　　传质单元高度由实验测定，它与设备结构、物系性质以及两相流速等因素有关，变动范围很大。吸收用的填充塔,其传质单元高度多为0.5～1.5m，用于精密精馏的填充塔或膜式塔，其传质单元高度较小，有的仅为几厘米。
　　

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