1) induced electron emission
感生电子发射
2) HG-ICP-AES
氢化物发生-电感耦合等离子体-原子发射光谱(HG-ICP-AES)法
3) electron emission
电子发射
1.
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes;
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
2.
Strong electron emission of antiferroelectric ceramic;
反铁电陶瓷的强电子发射特性研究
3.
Study on electron emission from the interaction of slow and highly charged ~(40)Ar~(16+) ions with a Mica surface;
低速高电荷态离子~(40)Ar~(16+)与云母表面作用中的电子发射研究
4) Emission electron
发射电子
1.
In this paper,heteroepitaxial diamond films were achieved on Si(100)substrates by emission electron via hot filament chemical vapor deposition.
本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。
5) ICP-AES
电感耦合等离子体-原子发射光谱法
1.
Determination of Aluminum in Rare Earth Extraction Process by ICP-AES;
电感耦合等离子体-原子发射光谱法测定稀土萃取液中的铝
2.
Determination of Twenty-Two Trace Elements in Super Purity Silver by ICP-AES;
电感耦合等离子体-原子发射光谱法测定银中22种微量元素
3.
Determination of Trace Impurity Elements in Zirconium Alloy by ICP-AES;
电感耦合等离子体-原子发射光谱法测定新锆合金(锆-锡-铁-铬-铌)中10种微量杂质元素
6) ICP-AES
电感耦合等离子体原子发射光谱法
1.
Determination of Au and Fe in Precious Metals and Alloys by ICP-AES;
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定贵金属及合金中微量金和铁
2.
ICP-AES Determination of Cr(Ⅵ) in Certain Special Samples——Preliminary Separation of Cr(Ⅲ) by co-Precipitation;
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定某些特殊试样中痕量铬(Ⅵ)——共沉淀法快速分离铬(Ⅲ)
3.
ICP-AES for Determination of Trace of Hafnium in Nuclear-Pure Spongy Zirconium;
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定核纯海绵锆中微量铪
补充资料：次级电子发射
通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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