1) electron-hole collision
电子-空穴碰撞<冶>
2) electron hole collision
电子-空穴碰撞
3) electron impact
电子碰撞
1.
L-shell ionization cross sections of Ag by electron impact in the energy range from 5 to 22 keV have been determined with a Si(Li) X-ray detector.
作者用Si(Li)探测器测量了能量为 5～ 2 2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面 ;用MonteCarlo方法计算的电子反射能谱 ,修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响 作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较 。
2.
Especially in high-temperature plasmas-whether in laboratory (nuclear fusion) or in astrophysics (atmosphere of stars)-atoms become ionized into multiply-charged ions by electron impact.
主要揭示了不同电离机制对高电荷态离子单电离和多重电离的贡献 ,包括直接电离 (一步过程 )、激发 自电离 (两步过程 )以及内壳Auger过程 ,研究了高电荷态镨离子的电子碰撞电离 。
4) electron-impact
电子碰撞
1.
The electron-impact ionization cross section for metastable state ion;
亚稳态离子的电子碰撞电离截面
6) electron-antielectron collision
电子-正电子碰撞
1.
We calculate its radialization correction and make the correlative discussion,obtain the cross section of electron-antielectron collision under chain approximation,and compare the tree-level cross section with the cross section under chain approximation.
对其辐射修正作了相关的计算和讨论,从而得到了电子-正电子碰撞在链近似下的散射截面,并与最低阶的散射截面作了比较。
补充资料：《半导体中的电子和空穴》
关于半导体物理和晶体管电子学理论的权威著作，美国物理学家、晶体管发明人之一W.B.肖克莱著，1950年出版。本书总结对半导体中物理过程的认识，阐述晶体管电子学的理论基础。作者在本书中首次把半导体物理中关于电子过程的基本理论、半导体器件分析、设计和电路应用等内容称为晶体管电子学。本书对半导体物理的发展具有重要意义。全书分为三部分，共17章。第一部分为晶体管电子学引论，利用半导体实验所得到的结果阐明一些理论概念，特别是对电子空穴的注入问题进行了定量研究；第二部分是关于半导体的描述性理论，讨论了半导体中的电子能态、电子和空穴在电磁场中的行为，以及电导率和霍尔效应理论等；第三部分为量子力学基础，叙述基本量子理论如何导致产生电子和空穴的抽象概念，讨论了半导体的统计理论和电子、空穴的跃迁几率理论，论述了与电子导电有关的课题，如电子和空穴的速度、电流和加速度的理论等。本书中所采用的一些基本物理概念和理论分析在后来的半导体物理研究中得到了广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条