1) current-driven universal drift instability
电流驱动普遍漂移不稳定性
2) hydrodynamic drift instability
流体动力漂移不稳定性
3) drift instability
漂移不稳定性
1.
Consequently two drift speed components perpendicular to the magnetic field is presented through the way of three-dimensional vector arithmetic,including the familiar term of grad B drift and an ex- tra drift term caused by▽×B,which will be helpful to realize the drift instability of the high.
从非均匀磁场对于圆电流作用力的观点,运用矢量方法分析了非均匀磁场中作拉摩旋进的荷电粒子在垂直于磁场方向的漂移运动,得到的结果中包括熟知的由磁场梯度决定的漂移速度,并得出另一个与磁场旋度有关的新的漂移项,其对于分析磁约束中的高温等离子体的漂移不稳定性将有所帮助。
4) Near-Earth magnetotail drift mode instability
近磁尾漂移不稳定性
5) ion drift instability
离子漂移不稳定性
6) collisional drift instability
碰撞漂移不稳定性
补充资料：漂移电流（driftcurrent）
漂移电流（driftcurrent）
在没有电场作用时，半导体中载流子在运动中不时遭到散射作杂乱无章的热运动，并不形成电流。当有电场存在时，使所有载流子沿电场力方向作定向运动。这种载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动。所构成的电流为漂移电流。定向运动的平均速度叫做漂移速度。在弱电场下，载流子的漂移速度v与电场强度E成正比
v=μE
式中μ是载流子迁移率，简称迁移率。它表示单位场强下载流子的平均漂移速度，单位是m2/V·s或cm2/V·s。迁移率数值决定于半导体能带结构、材料中杂质和缺陷对载流子的作用、以及其中原子的热运动等因素。通常在同一种半导体中，电子的迁移率比空穴的大。迁移率是反映半导体载流子导电能力的重要参数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条