电极淀积,electro-deposition,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) electro-deposition

电极淀积

2) electrode

电极

Accelerated tests for electrodes and characterization of their chlorine-evolution lifetime;

电极的强化测试与析氯寿命的表征

Intelligent prediction modeling and application research on the Angang FSF electrode;

安钢FSF电极智能预测建模及应用研究

Application of PLC in the Electrode Automatic Adjusting System for EF Melting;

浅析PLC在电弧炉炼钢电极自动调节系统中的应用

3) electrodes

电极

Influence of binder on properties of carbon nanotube electrodes;

粘结剂对碳纳米管电极性能的影响

Electrodes Experiment Studying of the Direct Current Plane Electromagnetism Pump;

直流平面电磁泵电极实验研究

Study on electrochemical properties of the electrodes coated with the gradient functional oxide;

梯度功能氧化物电极的电性能研究

4) pole

电极

It points out that the direct spot welding of pure copper can be realized by the correct choice of pole material,pole form,welding equipment and criterion.

找出了用通常方法不能点焊纯铜的原因 ,介绍了纯铜点焊焊核形成的过程 ,指出以本文为依据正确地选择电极材料、电极形状、焊接设备和确定焊接规范 ,就可实现纯铜的直接点

Having a discussion on the highresistance of insulating material and the way to measure the volume resistivity,introducing the produce method of examing pole influenced by leakageproof current,and adopting different ways to measure certain insulating material practically,obtaining a good result.

对绝缘材料的高电阻和体积电阻率的测量方法进行了探讨,介绍防漏电流影响检测电极的制作方法,并采用不同方法对某型绝缘材料进行实际测量,得出了较好的结果。

With the thought of "perturbation", this paper analyes the solution of Laplace equation for poles having irregular boundary.

研究电极的位移形变所产生的误差时 ,需要在不规则边界条件下求解拉普拉斯方程。

5) nitric oxide sensors

NO电极

6) Modified electrode

修饰电极

The Electrocatalytic Properties of Au Core-Pt Shell Nanoparticle-Modified Electrode for Formaldehyde in Acidic Aqueous;

金核-铂壳纳米修饰电极在酸性溶液中对甲醛的电催化氧化

Study on fabrication of PB/MWNTs modified electrode through sequential deposition method and its electrochemical performance;

顺序化学沉积法制备PB/MWNTs复合修饰电极及电化学性能研究

Electrochemical Luminescence Behaviors of Ionic Polymer-Modified Electrodes;

离子型聚合物修饰电极的电化学发光特性

参考词条

点焊电极石墨电极粒子电极炭电极多维电极电极配置三维电极 Au电极电极电势铂电极群电极古冰缘上诉

补充资料：化学汽相淀积工艺

　　用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。
　　
　　化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：
　　SiH₄─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H₂
　　SiH₄+4N₂O─→SiO₂+2H₂O+4N₂
　　SiH₄+2O₂─→SiO₂+2H₂O
　　3SiH₄+4NH₃─→Si₃N₄+12H₂
　　3SiH₂Cl₂+10NH₃─→Si₃N₄+6NH₄Cl+6H₂
　　SiH₄+2xPH₃+2(2x+1)O₂─→
　　
　　
　　
　　 SiO₂·xP₂O₅(磷硅玻璃)+(3x+2)H₂O
　　
　　化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb₃Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO₂·xGeO₂)，以及装饰性薄膜氮化钛等。
　　3NbCl₄+GeCl₄+8H₂─→Nb₃Ge+16HCl
　　4Fe(CO)₅+3O₂─→2Fe₂O₃+20CO
　　
　　与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。
　　
　　常压化学汽相淀积　图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。
　　
　　
　　低压化学汽相淀积　图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。
　　
　　
　　等离子化学汽相淀积　利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。
　　
　　
　　金属有机化学汽相淀积　以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。
　　
　　

参考书目
　　　Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) electro-deposition 电极淀积 2) electrode 电极 1. Accelerated tests for electrodes and characterization of their chlorine-evolution lifetime; 电极的强化测试与析氯寿命的表征 2. Intelligent prediction modeling and application research on the Angang FSF electrode; 安钢FSF电极智能预测建模及应用研究 3. Application of PLC in the Electrode Automatic Adjusting System for EF Melting; 浅析PLC在电弧炉炼钢电极自动调节系统中的应用 3) electrodes 电极 1. Influence of binder on properties of carbon nanotube electrodes; 粘结剂对碳纳米管电极性能的影响 2. Electrodes Experiment Studying of the Direct Current Plane Electromagnetism Pump; 直流平面电磁泵电极实验研究 3. Study on electrochemical properties of the electrodes coated with the gradient functional oxide; 梯度功能氧化物电极的电性能研究 4) pole 电极 1. It points out that the direct spot welding of pure copper can be realized by the correct choice of pole material,pole form,welding equipment and criterion. 找出了用通常方法不能点焊纯铜的原因 ,介绍了纯铜点焊焊核形成的过程 ,指出以本文为依据正确地选择电极材料、电极形状、焊接设备和确定焊接规范 ,就可实现纯铜的直接点 2. Having a discussion on the highresistance of insulating material and the way to measure the volume resistivity,introducing the produce method of examing pole influenced by leakageproof current,and adopting different ways to measure certain insulating material practically,obtaining a good result. 对绝缘材料的高电阻和体积电阻率的测量方法进行了探讨,介绍防漏电流影响检测电极的制作方法,并采用不同方法对某型绝缘材料进行实际测量,得出了较好的结果。 3. With the thought of "perturbation", this paper analyes the solution of Laplace equation for poles having irregular boundary. 研究电极的位移形变所产生的误差时 ,需要在不规则边界条件下求解拉普拉斯方程。 5) nitric oxide sensors NO电极 6) Modified electrode 修饰电极 1. The Electrocatalytic Properties of Au Core-Pt Shell Nanoparticle-Modified Electrode for Formaldehyde in Acidic Aqueous; 金核-铂壳纳米修饰电极在酸性溶液中对甲醛的电催化氧化 2. Study on fabrication of PB/MWNTs modified electrode through sequential deposition method and its electrochemical performance; 顺序化学沉积法制备PB/MWNTs复合修饰电极及电化学性能研究 3. Electrochemical Luminescence Behaviors of Ionic Polymer-Modified Electrodes; 离子型聚合物修饰电极的电化学发光特性参考词条点焊电极石墨电极粒子电极炭电极多维电极电极配置三维电极 Au电极电极电势铂电极群电极古冰缘上诉补充资料：化学汽相淀积工艺　　用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。　　　　化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：　　SiH₄─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H₂ 　　SiH₄+4N₂O─→SiO₂+2H₂O+4N₂ 　　SiH₄+2O₂─→SiO₂+2H₂O 　　3SiH₄+4NH₃─→Si₃N₄+12H₂ 　　3SiH₂Cl₂+10NH₃─→Si₃N₄+6NH₄Cl+6H₂ 　　SiH₄+2xPH₃+2(2x+1)O₂─→ 　　　　　　　　 SiO₂·xP₂O₅(磷硅玻璃)+(3x+2)H₂O 　　　　化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb₃Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO₂·xGeO₂)，以及装饰性薄膜氮化钛等。　　3NbCl₄+GeCl₄+8H₂─→Nb₃Ge+16HCl 　　4Fe(CO)₅+3O₂─→2Fe₂O₃+20CO 　　　　与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。　　　　常压化学汽相淀积　图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。　　　　　　低压化学汽相淀积　图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。　　　　　　等离子化学汽相淀积　利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。　　　　　　金属有机化学汽相淀积　以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。　　　　参考书目　　　Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981. 　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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