1) single phase two pole moulded case circuit breaker
单相双极塑壳断路器
2) MCCB
塑壳断路器
1.
EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF SEVERAL FACTORS ON THE MOTION OF INTERRUPTION ARC IN MCCB WITH GAS-DRIVEN ARC;
不同因素对气吹式塑壳断路器开断电弧运动影响的实验研究
2.
SIEMENS New MCCB 3VT with Safety and High Efficiency
西门子安全高效的新3VT塑壳断路器
3.
A new type of over current protection system of MCCB was Introduced.
介绍了一种新型塑壳断路器的过电流保护系统。
3) molded case circuit breaker(MCCB)
塑壳断路器
1.
A digital molded case circuit breaker(MCCB)automatic protection characteristic test platform was developed.
开发了一种数字式全自动塑壳断路器保护特性检测台。
4) moulded case circuit breaker(MCCB)
塑壳断路器
1.
The sliding misoperation of operating mechanism in moulded case circuit breaker(MCCB) was one of the design problems avoiding as much as possible.
塑壳断路器操作机构的滑扣问题是断路器设计中的核心问题之一,需要尽力避免。
2.
A way to analyze the interruption process of low voltage moulded case circuit breaker(MCCB) was proposed considering the existence of electro-dynamic repulsion force,which can study the influence of the various factors on the interruption process of MCCB,through secondary development on ADMAS,and coupling the circuit equation,electromagnetic field and mechanism motion.
提出一种分析低压塑壳断路器(MCCB)分断过程仿真的方法。
5) molded case circuit breaker
塑壳断路器
1.
Dynamic Simulation and Optimum Design of Molded Case Circuit Breaker Based on Virtual Prototype Technology;
基于虚拟样机塑壳断路器的运动仿真与优化设计
2.
This paper introduces the principle, design and application of molded case circuit breaker based on MODBUS protocol with an intelligent controller.
对基于MODBUS协议的塑壳断路器用智能化控制器的原理、设计及应用等方面作了介绍,同时对基于MODBUS协议低压电器现场总线联网和发电、配电的设备网络化进行了分析和探讨。
6) moulded case circuit breaker
塑壳断路器
1.
The article introduces the structure, features, main specifications and applications of CMlz series intelligent communicative moulded case circuit breakers.
文章介绍了CM1z型系列智能型可通信塑壳断路器的用途、结构原理、产品特点和主要技术性能。
2.
The traditional arc extinguish chamber structure of moulded case circuit breaker was very difficult to raise breaking off performance of the circuit breaker.
塑壳断路器传统的灭弧室结构已很难提高断路器的开断性能,针对此问题,对灭弧室栅片的形状进行改进,并增加不让电弧进入灭弧栅片腿部的措施。
补充资料：双极型随机存储器
用双极型晶体管构成的随机存储器。它在半导体存储器中是最先研制成功的,用作计算机的缓冲存储器,使运算速度显著提高。双极型随机存储器的速度比磁芯存储器速度约快 3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。双极型随机存储器的制造工艺比 NMOS（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）复杂，密度不及 MOS金属-氧化物-半导体动态随机存储器。在半导体存储器中,双极型随机存储器发展速度最快,在计算机高速缓冲存储器、控制存储器、超高速大型计算机主存储器等方面仍获得广泛应用。超高速发射极耦合逻辑电路随机存储器和高集成密度集成注入逻辑电路随机存储器已有新的发展。
图1和图2是双极型随机存储器典型单元线路图和剖面结构，其基本结构是触发器。图3是典型的双极型静态随机存储器框图。每个单元有一根字线，二根位线。单元的电流（或电压）由字线控制，信息的写入和读出由位线控制。单元有二种状态，即选中状态和等待状态(又称维持状态)。为减少功耗,等待状态的维持电流越小越好。选中时,应用足够的读写电流,避免误读。图1的单元采用电阻和二极管并联作为负载，采用浮动电压方式工作；等待时，电压低，二极管截止，电流受大电阻RC（20～40千欧）所限，约在15～40微安之间，选中时，电压上升,二极管通导,位线电流可达400～500微安，不致误读。这种单元结构虽然有8个元件,运用设计技巧可使所占用的硅片面积不致过大，仅略大于一个双发射极晶体管。当集成度进一步提高到 16k位时,图1单元的等待状态电流过大，可采用图2单元。等待状态的电流可由 15微安下降至3微安，这种单元电路实际上是由二只可控硅构成的触发器组成，采用浮动字线电压工作方式。等待状态电流约为3微安;选中状态时，电压提高，信息电流约达1毫安。
图1和图2是双极型随机存储器典型单元线路图和剖面结构，其基本结构是触发器。图3是典型的双极型静态随机存储器框图。每个单元有一根字线，二根位线。单元的电流（或电压）由字线控制，信息的写入和读出由位线控制。单元有二种状态，即选中状态和等待状态(又称维持状态)。为减少功耗,等待状态的维持电流越小越好。选中时,应用足够的读写电流,避免误读。图1的单元采用电阻和二极管并联作为负载，采用浮动电压方式工作；等待时，电压低，二极管截止，电流受大电阻RC（20～40千欧）所限，约在15～40微安之间，选中时，电压上升,二极管通导,位线电流可达400～500微安，不致误读。这种单元结构虽然有8个元件,运用设计技巧可使所占用的硅片面积不致过大，仅略大于一个双发射极晶体管。当集成度进一步提高到 16k位时,图1单元的等待状态电流过大，可采用图2单元。等待状态的电流可由 15微安下降至3微安，这种单元电路实际上是由二只可控硅构成的触发器组成，采用浮动字线电压工作方式。等待状态电流约为3微安;选中状态时，电压提高，信息电流约达1毫安。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条