3) control chart for defectives
缺陷控制图
4) defect control
缺陷控制
1.
Further,the significance and theoretical basis of the defect control are clearly pointed out,which show that the main task to realize the defect control is to protect lithium sites.
在分析晶体缺陷研究的基础上提出了对铌酸锂晶体进行缺陷控制的意义及理论依据,指出缺陷控制的主要任务是保护锂格位。
2.
The reason of such an important dependence in lithium niobate crystals is quantitatively studied by the chemical bond model, showing that the defect control is a key point in developing such crystals with higher performances.
利用化学键模型定量地解释了这种依赖性产生的根源,从而说明了制约该晶体性能提高的关键因素是晶体结构中的缺陷控制。
5) defects control
缺陷控制
1.
The defects control of the coatings was discussed based on the CVD process.
从涂层沉积工艺角度出发,对涂层缺陷控制进行探索,慢速沉积对上述涂层缺陷,特别是面缺陷的控制有显著效果,能获得无面缺陷的多层涂层。
补充资料：单位缺陷数控制图(u图)
单位缺陷数控制图(u图)
control charts for defects per unit
dan叭旧1 quexianshuko叩zhitu单位缺陷数控制图(u圈)eont拍1 ehad3forper unit)利用样本中单位产品的一定类型缺陷数，评估和监察过程的控制图。“图与缺陷数(c)控制图的关系和p图与严图的关系相似。若各个祥本的检查单位，即样本大小是变化的，则应将各个样本的缺陷数折算成平均每个检查单位的缺陷数，简称单位缺陷数，然后应用单位缺陷数(u)控制图进行控制。样本单位缺陷数(。)的参数为:产。二U，。。二丫丽石，式中u为总体或过程的平均单位缺陷数。可见沼。与。。是相关的，确定其中的一个就等于确定另一个，故只有一个独立的参数，即总体平均单位缺陷数。因此，控制单位缺陷数(u)仅一张控制图就足够了。 。图的控制界限也是从休哈特的3。方式，即休哈特拉制图控制界限的总公式导出的，具体如下: UCL二U+3j厂百瓜二‘+3了玉7石 CL二U。瓦 】￡L二u一3、/一石7又。面一3了玉了五式中:UCL为上控制限;LCL为下控制限;CL为中心线;‘为样本平均单位缺陷数，用以估计总体单位缺陷数。由于“图的UCL与LCL中包含有样本大小n，故若。不等，则UCL与LCL均呈凹凸状，作图不便，也难于判稳、判异。如果应用通用控制图，则无论检查单位有无改变，。T图均可用，很方便。下图是一个实例的单位不合格数(的图与通用缺陷数(。T)图的对比。汉UCL一决.CLLCL几…00…0产芯六气犷茹瑟喻犷亢，硫 eT图“图与。T图的对比r孙棒、
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参考词条