单极(型)晶体管,unipolar transistor,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) unipolar transistor

单极(型)晶体管

2) unipolar transistor

单极型晶体管

3) monopolar

单极

Summary on the design,manufacture and running of a sample of ion-exchange membrane monopolar cell LD0.32;

LD0.32单极式离子膜电解槽样机的设计、制作及运行

The Thermal Effect of Monopolar Electrosurgery on Different Tissues;

腹腔镜单极高频电手术在不同组织热效应的研究

A Comparative Study of the Internal Environment Effect of Bipolar Versus Monopolar Transurethral Vaporization of the Prostate in Operation;

单极与双极前列腺汽化术对术中内环境影响的对比研究

4) monopole

“单极”

5) unipolar

单极

[Objective]To estimate the clinical effects of total hip arthroplasty(THA),bipolar and unipolar hemiarthroplasty for the treatment of femoral neck fractures(FNF) in the elderly.

[目的]评价全髋关节置换术、双极与单极人工股骨头置换术治疗老年股骨颈骨折的临床疗效。

Unipolar case :where w_0,V_0 ∈ H~1(Ω) ∩ L~∞(Ω), w_0 ≥ 0 in Ω(?) R~d, 1≤ d < +∞, v is the outer unit normal on Γ_N.

单极情形： δ~2Δw=w(h(w~2)-V) in Ω，w=w_0 on Γ_D，(?)w/(?)v=0 on Γ_N λ~2ΔV=w~2-C in Ω，V=V_0 on Γ_D，(?)V/(?)v=0 on Γ_N 这里w_0，V_0∈H~1(Ω)∩L~∞(Ω)，w_0≥0 in Ω(?)R~d，1≤d＜+∞，v是Γ_N上的单位外法向量。

6) Ion polarity ratio

单极系数

The results showed that negative air ion concentrations increased gradually and ion polarity ratio decreased gradually from city center to suburb.

结果表明,从市中心向郊区空气负离子浓度逐渐增大,单极系数逐渐减小;有林地区空气负离子浓度明显高于无林地区,针叶林地区全年平均空气负离子浓度高于阔叶林地区,但春、夏季节则阔叶林地区高于针叶林地区;有瀑布和溪流等动态水的地方空气负离子浓度明显增加;室内空气负离子浓度低于室外,但绿色植物可使室内空气负离子浓度增加;一天中白天空气负离子平均浓度高于夜间,一年中夏季最高、冬季最

Based on three years of observation on the spatio-temporal changes of negative air ion concentrations in Beijing, air quality was assessed using ion polarity ratio and air ion assessment index (CI).

根据北京地区3年的空气负离子浓度时空变化的实测资料,利用空气离子单极系数及安倍空气离子评价指数对北京地区空气质量进行了初步评价。

参考词条

单极电凝单极电图单极性磁单极单极运行单极感应单极振子单极板单极调制单极性A/D 单极模式记忆信息未成熟种子

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) unipolar transistor 单极(型)晶体管 2) unipolar transistor 单极型晶体管 3) monopolar 单极 1. Summary on the design,manufacture and running of a sample of ion-exchange membrane monopolar cell LD0.32; LD0.32单极式离子膜电解槽样机的设计、制作及运行 2. The Thermal Effect of Monopolar Electrosurgery on Different Tissues; 腹腔镜单极高频电手术在不同组织热效应的研究 3. A Comparative Study of the Internal Environment Effect of Bipolar Versus Monopolar Transurethral Vaporization of the Prostate in Operation; 单极与双极前列腺汽化术对术中内环境影响的对比研究 4) monopole “单极” 5) unipolar 单极 1. [Objective]To estimate the clinical effects of total hip arthroplasty(THA),bipolar and unipolar hemiarthroplasty for the treatment of femoral neck fractures(FNF) in the elderly. [目的]评价全髋关节置换术、双极与单极人工股骨头置换术治疗老年股骨颈骨折的临床疗效。 2. Unipolar case :where w_0,V_0 ∈ H~1(Ω) ∩ L~∞(Ω), w_0 ≥ 0 in Ω(?) R~d, 1≤ d < +∞, v is the outer unit normal on Γ_N. 单极情形： δ~2Δw=w(h(w~2)-V) in Ω，w=w_0 on Γ_D，(?)w/(?)v=0 on Γ_N λ~2ΔV=w~2-C in Ω，V=V_0 on Γ_D，(?)V/(?)v=0 on Γ_N 这里w_0，V_0∈H~1(Ω)∩L~∞(Ω)，w_0≥0 in Ω(?)R~d，1≤d＜+∞，v是Γ_N上的单位外法向量。 6) Ion polarity ratio 单极系数 1. The results showed that negative air ion concentrations increased gradually and ion polarity ratio decreased gradually from city center to suburb. 结果表明,从市中心向郊区空气负离子浓度逐渐增大,单极系数逐渐减小;有林地区空气负离子浓度明显高于无林地区,针叶林地区全年平均空气负离子浓度高于阔叶林地区,但春、夏季节则阔叶林地区高于针叶林地区;有瀑布和溪流等动态水的地方空气负离子浓度明显增加;室内空气负离子浓度低于室外,但绿色植物可使室内空气负离子浓度增加;一天中白天空气负离子平均浓度高于夜间,一年中夏季最高、冬季最 2. Based on three years of observation on the spatio-temporal changes of negative air ion concentrations in Beijing, air quality was assessed using ion polarity ratio and air ion assessment index (CI). 根据北京地区3年的空气负离子浓度时空变化的实测资料,利用空气离子单极系数及安倍空气离子评价指数对北京地区空气质量进行了初步评价。参考词条单极电凝单极电图单极性磁单极单极运行单极感应单极振子单极板单极调制单极性A/D 单极模式记忆信息未成熟种子补充资料：绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管 insulated gate bipolar transistor,IGBT 　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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