1) memory trap condition
存储器俘获状态
2) charge trapping memory
电荷俘获存储器
1.
Research status and present problem of the charge trapping layer in the charge trapping memory are summarized and analyzed,including Si3N4 dopped O(α-SiOxNy),high-k materials,embedded nanocrystal materials and multistacked structure.
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。
3) memory management status
存储器管理状态
4) memory status indicator
存储状态指示器
5) status memory and real-time system
状态存储器及实时系统
6) Capture detector
俘获探测器
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条