1) m.m.f curve
磁势曲线
2) potential energy curve
势能曲线
1.
Studies on the full vibrational energy spectra and potential energy curves for ground state of fluorine hydrogen HF and its cation HF+;
氟化氢分子HF及其离子HF~+基态电子态的完全振动能谱和势能曲线的精确研究
2.
The interaction potential energy curves of Li+ and HC2n-have also been calculated.
应用密度泛函理论(DFT)和多体微扰理论(MP2),对Li+与线性碳链HC2n-形成的体系HC2nLi(n=1~8,C∞v)的平衡几何构型、谐振动频率、第一绝热电离能和结合能进行了研究并计算了HC2n-与Li+之间相互作用的势能曲线。
3.
The different geometrical structures and potential energy curves of the molecule PuH_3 are calculated with the discrete variational method(DVM),which is based upon the density functional theory.
基于密度泛函理论的全数值自洽场计算方法———离散变分方法(DVM),数值解相对论Dirac方程,在自由的钚原子和氢原子波函数的数值基及原子能级基础上计算了PuH3分子的不同几何结构及势能曲线。
3) potential curve
势能曲线
1.
The calculated results of thepotential well parameters and the potential curve are in 8ood agreement with published experimentedda
势阶参数和势能曲线的计算结果与实验数据较好地符合。
2.
The QCISD(T) and QCISD method is applied to scan the potential curves for X~2Πstates of SH(D) and OH(D) molecule with 6-311++G(3df,2pd) basis set,respectiv
本文前几部分在简单介绍与分子势能函数研究相关基础理论知识和计算方法的基础上,通过计算、分析比较,在n=3的Murrell-Sorbie解析势能函数的基础上,首次得到了能够正确描述双原子分子特殊势能曲线的n=9的Murrell-Sorbie解析势能函数。
4) Potential energy curves
势能曲线
1.
The potential energy curves for the ground state of SO and ClO molecules as well as their corresponding molecular ions have been computed using the multi-reference configuration interaction(MRCI)method with aug-cc-PVXZ(X=D,T,Q)basis sets.
采用从头计算的多参考组态相互作用方法和含扩散基的3个基组aug-cc-PVXZ(X=D,T,Q)计算了SO和ClO分子及其分子离子的势能曲线,确定了平衡几何结构、离解能,并采用Feller拟合递推方法得到了基函数为无穷大计算水平值。
2.
It is proved that the potential energy curves of N 2 molecular dimer with D 2h symmetry group have an excimer like a 1B 2g→a 1B 3u transition.
理论上通过从头算法 (abinitio)计算强相互作用的N2 分子二聚物可能存在的 6种点群构型的势能曲线 ,证明N2 分子二聚物以D2h 对称群构型存在 ,且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2 g →a1B3u,并计算了a1B2 g →a1B3u 跃迁的荧光谱。
3.
In the present paper, the potential energy curves (PECs) of the ground electronic state (1Σ+) and three low-lying excited electronic states (3Σ,1Π,3Π) of the three systems have been calculated using high-level ab initio method (the multireference configuration interaction method) by employing different basis sets.
本文利用高精度的从头计算(ab initio)方法-多参考组态相互作用方法,采用多种基函数组,计算了这三个体系基电子态(1Σ+)和三个低激发电子态(3Σ,1Π,3Π)的势能曲线。
5) situation curve
态势曲线
6) the direction of line
曲线走势
补充资料：磁标势
为简化磁场的计算，在一定条件下，引入的一个辅助物理量。
如果稳恒磁场的某个局部区域V中没有传导电流,且其中任何封闭曲线L都不能包围传导电流,以H表示区域内各点的磁场强度，ds表示面积元，即有 (1)
类似于静电场中引入电位的方法，可引入磁标势嗞m，H＝－墷嗞m。 (2)
取V中某点Po作为基准点,定义任一点P的磁标势嗞m(P)如下 (3)
式(2)中嗞m(Po)为任一常数，H的单位是安/米，嗞m的单位是安。
稳恒电流大都是在细长导线的回路中流动的。磁场则大都在没有传导电流的空间中。为了使 V中的任一封闭曲线满足式(1),可限定以电流回路为边缘的任意形状的一个曲面为不可穿越的壁障。图1、图2分别示出了长直电流和圆形电流所假想的壁障。其中长直电流的壁障是包含电流且向左延伸的无穷大平面,图1中的1与2是壁障二侧无限靠近的二点。应用安培环路定理求H的环量时,如取途径1M231不包围电流,可使式(1)满足。当取由1经M至2的途径对H积分时， 值等于长直电流的电流强度I。由式(3)得 (4)
由此得到一个普适的结论:壁障是磁标势有I突变的突变面。
容易计算出长直电流的磁标势分布。若取点1为零势，则
。
其标势只是θ的函数。θ相同的各点标势相同，构成等磁势面，且磁力张（H线）与其处处正交，如图3所示。任何磁力线总与等磁势面正交，这可由式(3)直接得出。
对于线电流回路的磁场利用磁标势法来计算是方便的。可以证明任意载流回路在空间任一点 P的磁标势为 (5)
式中I是回路中的电流,Ω是回路在P点所张的立体角,从P点看电流逆时针方向时,立体角为正。如果计算出立体角Ω，再根据式(2)即得H。
在讨论磁介质磁化或铁磁体的磁场时，因所讨论磁场范围内没有传导电流，故可用磁标势法来处理。
由磁场的高斯定理和H的定义可得H的高斯定理 (6)
其中 (7)
与静电场的高斯定理相似。这样,磁场强度H与电场强度E具有形式相同的规律，且H与E,嗞m与嗞，μo与εo,μoM与P有对应关系。据此可直接由静电势方程写出对应的磁标势方程 (8)
其中 (9)
两种磁介质分界面上满足的边界条件为 (10)
(11)
对铁磁体的磁场，若已知M，则问题归结为在给定边界条件下求解磁标势的泊松方程。对于分区均匀的各向同性线性媒质，问题归结为在给定边界条件下解磁标势的拉普拉斯方程。
如果稳恒磁场的某个局部区域V中没有传导电流,且其中任何封闭曲线L都不能包围传导电流,以H表示区域内各点的磁场强度，ds表示面积元，即有 (1)
类似于静电场中引入电位的方法，可引入磁标势嗞m，H＝－墷嗞m。 (2)
取V中某点Po作为基准点,定义任一点P的磁标势嗞m(P)如下 (3)
式(2)中嗞m(Po)为任一常数，H的单位是安/米，嗞m的单位是安。
稳恒电流大都是在细长导线的回路中流动的。磁场则大都在没有传导电流的空间中。为了使 V中的任一封闭曲线满足式(1),可限定以电流回路为边缘的任意形状的一个曲面为不可穿越的壁障。图1、图2分别示出了长直电流和圆形电流所假想的壁障。其中长直电流的壁障是包含电流且向左延伸的无穷大平面,图1中的1与2是壁障二侧无限靠近的二点。应用安培环路定理求H的环量时,如取途径1M231不包围电流,可使式(1)满足。当取由1经M至2的途径对H积分时， 值等于长直电流的电流强度I。由式(3)得 (4)
由此得到一个普适的结论:壁障是磁标势有I突变的突变面。
容易计算出长直电流的磁标势分布。若取点1为零势，则
。
其标势只是θ的函数。θ相同的各点标势相同，构成等磁势面，且磁力张（H线）与其处处正交，如图3所示。任何磁力线总与等磁势面正交，这可由式(3)直接得出。
对于线电流回路的磁场利用磁标势法来计算是方便的。可以证明任意载流回路在空间任一点 P的磁标势为 (5)
式中I是回路中的电流,Ω是回路在P点所张的立体角,从P点看电流逆时针方向时,立体角为正。如果计算出立体角Ω，再根据式(2)即得H。
在讨论磁介质磁化或铁磁体的磁场时，因所讨论磁场范围内没有传导电流，故可用磁标势法来处理。
由磁场的高斯定理和H的定义可得H的高斯定理 (6)
其中 (7)
与静电场的高斯定理相似。这样,磁场强度H与电场强度E具有形式相同的规律，且H与E,嗞m与嗞，μo与εo,μoM与P有对应关系。据此可直接由静电势方程写出对应的磁标势方程 (8)
其中 (9)
两种磁介质分界面上满足的边界条件为 (10)
(11)
对铁磁体的磁场，若已知M，则问题归结为在给定边界条件下求解磁标势的泊松方程。对于分区均匀的各向同性线性媒质，问题归结为在给定边界条件下解磁标势的拉普拉斯方程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条