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1)  incomplete yarovization
不完全春化
2)  incomplete optimization
不完全优化
3)  incomplete ionization of dopant
不完全离化
1.
When the temperature reaches 600K,the incomplete ionization of dopant has little effect to 6HSiC buried channel NMOSFET.
在考虑杂质不完全离化的作用下,建立了6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。
4)  incomplete chemical combination
不完全化合
5)  incomplete vulcanization
不完全硫化
6)  incomplete oxidation
不完全氧化
补充资料:MacNeille完全化


MacNeille完全化
completion , MacNeille

  Xd={a“M:“)x对所有的x任X}, 丫={a任M:a簇x对所有的x〔X}.条件毋(X)=(x△)v定义了尸(哟上一个闭包运算毋(见闭包关系(dosure relation)).P(M)中所有职闭子集所成的格L是完全的,对任何x‘M,集(xd)p是由x生成的主理想.对每个x oM,令i(x)=(xd)v.于是i是从M到完全格L内的一个同构嵌人,它保持M中的所有最小上界和最大下界不变.用到有理数所成的序集上来,上述的构造给出了有理数集按Dedeklnd分割所得到的完全化.【补注】Boo】e代数的MacNeille完全化是个(完全的)Boole代数,但分配格(distributive lattice)的Ma。Neine完全化不一定是分配的(见[AI]).在Boole代数的情形下,由Stone对偶性(见S栩.e空间(s tonesPace》,MacNeille完全化与紧零维空间(zero一dim-ensional space,见【A2」,P.109)的绝对形(absofute)的构造(或Gleason覆盖构造(Gleason cover construotion))相对应.MaCNeille完全化【。阅,Ple柱.,MacNeille;nn切,ue。讹ee,e。,,.1,分割完全化(伪mPletion by se改i、s),偏序集的 偏序集M依下述方式得到的完全格(以扣以plete lat-ti沈)L设P(M)是M的所有子集的集合、以包含关系为序,对子任一X〔P(M).今
  
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