1) capacitance minimum of surface barrier
表面势垒的最小电容
2) junction capacitance
势垒电容
1.
When SiGe HBT is in the case of normal operation, depleted approximation is not suited, and the influence of movable charge should be taken into account when considering of their junction capacitance.
在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 。
2.
Thus differential capacitance should be adopted when considering their junction capacitance.
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容。
3) surface barrier
表面势垒
1.
This paper analyses the metal surface barrier and the work function with quantum theory,so that it supplements the defects of the ordinary teaching material about this problem.
本文运用量子理论对金属表面势垒及逸出功进行了分析，从而弥补了一般大学物理教材中在此问题上的不足之
2.
The value of surface barrier height of nanocrystalline and cast SS304 are 19.
42eV,并通过量子力学理论计算得到块体纳米晶304不锈钢和铸态304不锈钢的表面势垒高度分别为19。
4) surface potential barrier
表面势垒
1.
By calculating the energy distribution of electrons reaching the photocathode surface and solving the Schrdinger equation that describes the behavior of an electron tunneling through the surface potential barrier,we obtain an equation to calculate the emitted electron energy distribution of transmission-mode NEA GaAs photocathodes.
通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式。
5) SnO_2 surface potential barrier
SnO_2表面势垒
1.
Based on the principle of chemical equilibrium and the theory of reaction dynamics, a temperature district model about SnO_2 surface potential barrier has been put forward.
根据化学平衡原理和反应动力学理论,建立了SnO_2表面势垒的温度分区模型。
6) surface barrier
表面势垒，表面位垒
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条