1) silicon monoxide thin film medium materials
一氧化硅薄膜介质材料
2) silicon dioxide film medium
二氧化硅薄膜介质材料
3) mesoporous silica film
介孔氧化硅薄膜
1.
Vapor phase treatment with tetraethyl orthosilicate (TEOS) was used to improve the performance of methylated mesoporous silica films spin-coated on silicon wafers.
介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15d后,介电常数仍旧维持在超低值范围内,k=1。
2.
The research concerns in the preparation and TiO2 assembly of mesoporous silica films at ambient pressure by sol-gel technique.
采用正硅酸乙酯(TEOS)作硅源,分别以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和两亲性三嵌段共聚物(EO20PO70EO20)为模板剂,盐酸为催化剂,利用溶胶-凝胶工艺(sol-gel),通过提拉法在常压下制备介孔氧化硅薄膜。
4) Mesoporous organosilica material
介孔有机氧化硅材料
5) Siliceous mesocellular foam
氧化硅介孔泡沫材料
1.
Siliceous mesocellular foam (MCF), a new material with continuous 3D pore structure connected by window, the largest pore size compared to other mesoporous materials and high hydrothermal stability, may be one of the most promising supports for enzyme immobilization.
氧化硅介孔泡沫材料(Siliceous Mesocellular Foams, MCF)是一种具有超大介孔和三维热稳定性的新型材料,是目前所合成的硅基介孔材料中孔径最大的一类材料,因其较大的孔径、孔容及特殊的窗口连接的三维结构,在对酶分子的固定方面具有较大的应用前景。
6) silicon oxide thin film multilayer wiring
一氧化硅薄膜多层布线
补充资料：一氧化硅薄膜介质材料
分子式：
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条