1) oxygen vacancy concentration
氧离子缺位浓度
2) oxyanion content
氧离子浓度
3) density of A vacancy
A缺位浓度
1.
The density of A vacancy [VA] depends on how A site and B site displaced by M3+.
A缺位浓度[VA]取决于M3+的A位或B位取代情况，M3+只取代A位[（Sr,Ca）1-xMx（VA）x/2]TiO3,或M3+只取代B位[（Sr,Ca）1-x/2（VA）x/2]（Ti1-xMx）O3,产生A缺位浓度[VA]较大，对其瓷料介电性能影响较明显；M3+同时取代A和B位[（Sr,Ca）]1-x1Mx1]（Ti1-x2Mx2）O3，由于电价补偿，产生A缺位浓度[VA]较小，因而对其瓷料介电性能影响较小。
4) hydroxide ion concentration
氢氧离子浓度
5) concentration of complex ions
配位离子浓度
6) ionic vacancy
离子缺位
补充资料：氧离子缺位浓度
分子式：
CAS号：
性质：离子晶体中由于下列情况产生氧离子缺位。(1)不等价置换，为保持电中性，产生组分缺陷。(2)由于热振动产生热缺陷。(3)出现非化学计量化合物。单位体积中氧离子缺位数与该体积中所有氧离子结点数的比值称为氧离子缺位浓度。陶瓷材料中氧离子缺位浓度对电性能影响很大，某些高温导电陶瓷如氧化锆固溶体等就是利用氧离子缺位进行导电的。氧离子缺位浓度提高，材料活性提高，有助于质点迁移，可使固相反应和烧结温度降低。
CAS号：
性质：离子晶体中由于下列情况产生氧离子缺位。(1)不等价置换，为保持电中性，产生组分缺陷。(2)由于热振动产生热缺陷。(3)出现非化学计量化合物。单位体积中氧离子缺位数与该体积中所有氧离子结点数的比值称为氧离子缺位浓度。陶瓷材料中氧离子缺位浓度对电性能影响很大，某些高温导电陶瓷如氧化锆固溶体等就是利用氧离子缺位进行导电的。氧离子缺位浓度提高，材料活性提高，有助于质点迁移，可使固相反应和烧结温度降低。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条