1) strontium titanate-based grain boundary layer capacitor ceramics
钛酸锶基晶界层电容器陶瓷
2) SrTiO3 grain boundary barrier layer ceramics
钛酸锶晶界层陶瓷
3) strontium titanate ceramic
钛酸锶基陶瓷
4) strontium titanate ceramics
钛酸锶陶瓷
1.
Some research development on the sintering of strontium titanate ceramics was reviewed,and two major factors that affect the sintering technology and aids were summarized.
钛酸锶陶瓷电容具有高储能、低损耗、高稳定性等优点,但烧结温度高,烧成密度低。
6) grain boundary layer semiconductor ceramic capacitor
晶界层半导体陶瓷电容器
1.
The grain boundary layer semiconductor ceramic capacitors were manufactured by one-time sintering technology.
采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。
补充资料：钛酸锶基晶界层电容器陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：一种以钛酸锶晶粒为主晶相具有高绝缘性晶界的陶瓷材料。属钙钛矿型结构。用于制作界层电容器。制备时有两种烧结工艺：二次烧成型和一次烧成型。二次烧成型是在1400℃还原气氛(氨和氢气)下烧结，再在1200℃下在空气中进行晶界绝缘化处理；一次烧成型是把烧结和晶界绝缘化处理合并一次烧成。一次烧成型电容器的表观介电常数可达4万以上，二次烧成型可达10万以上，两者体积电阻率ρ>1010Ω·cm，介质损耗角正切tgδ<1.5％，电容温度变化率△C/C<±15(-30～+85℃)。
CAS号：
性质：一种以钛酸锶晶粒为主晶相具有高绝缘性晶界的陶瓷材料。属钙钛矿型结构。用于制作界层电容器。制备时有两种烧结工艺：二次烧成型和一次烧成型。二次烧成型是在1400℃还原气氛(氨和氢气)下烧结，再在1200℃下在空气中进行晶界绝缘化处理；一次烧成型是把烧结和晶界绝缘化处理合并一次烧成。一次烧成型电容器的表观介电常数可达4万以上，二次烧成型可达10万以上，两者体积电阻率ρ>1010Ω·cm，介质损耗角正切tgδ<1.5％，电容温度变化率△C/C<±15(-30～+85℃)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条