1) X ray resist
X射线抗蚀剂
2) I line photoresist
Ⅰ-线光致抗蚀剂
3) near uv resist
近紫外线抗蚀剂
4) X-ray expose dose
X线照射剂量
5) X ray radiation dose
X线放射剂量
6) X-ray dose enhancement
X射线剂量增强
1.
X-ray dose enhancement effects on N80C196KC20 chips;
N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应
补充资料：X射线抗蚀剂
分子式：
CAS号：
性质：采用软X射线（波长0.4～5nm）作为曝光源的抗蚀剂。由于X射线波长较紫外波长短两个数量级，几乎没有衍射的干扰，而且因其能量比电子束小得多，可以获得高分辨率，X射线对尘埃的透过性好，曝光工艺的缺陷率就低。所有的电子束抗蚀剂均可作X射线抗蚀剂。
CAS号：
性质：采用软X射线（波长0.4～5nm）作为曝光源的抗蚀剂。由于X射线波长较紫外波长短两个数量级，几乎没有衍射的干扰，而且因其能量比电子束小得多，可以获得高分辨率，X射线对尘埃的透过性好，曝光工艺的缺陷率就低。所有的电子束抗蚀剂均可作X射线抗蚀剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条