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1)  electron beam resist
电子束抗蚀剂
2)  electron-beam negative photoresist
电子束负性抗蚀剂
3)  electron-beam positive photoresist
电子束正性抗蚀剂
4)  ion beam photographic resin
离子束抗蚀剂
5)  plated resist
电镀抗蚀剂
6)  electron beam lithography
电子束刻蚀
补充资料:电子束抗蚀剂
分子式:
CAS号:

性质:用电子束辐照的抗蚀剂可制出比1μm还细的线条,片子可不用掩模直接制作并实现高度自动化。电子束抗蚀剂主要由具有线型链的聚合物组成,对电子束辐照导致两种类型的相互作用,即化学键断裂和辐射诱发的大分子链交联。在化学键断裂或链被切断时,聚合物分子量便减小,若平均分子量被减小到足够小,就能在溶剂中溶解,而对未受辐照的高分子量区域并不发生作用,能发生断链的聚合物称为正性电子束抗蚀剂,其代表品种是聚甲基丙烯酸甲酯。聚合物与电子束之间的第二种作用是辐射诱发的大分子交联,产生随机的三维结构,其分子量高出于未被辐照的区域。交联现象处于支配地位的聚合物称为负性电子束抗蚀剂,显影同样地也是将低分子量区域溶解,形成图形。丙烯酸缩水甘油酯和丙烯酸乙酯的共聚物是一种常见的负性电子束抗蚀剂。

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