1) high-purity silane
高纯硅烷
2) high pure silicoethane
高纯乙硅烷
3) high-purity triethylsilane
高纯三乙基硅烷
4) high-purity hexamethyldisilane
高纯六甲基二硅烷
5) high purity silica
高纯硅
1.
Kinetic study of E′ center formed by radiation with low energy particles in high purity silica;
高纯硅低能粒子辐照E′色心形成动力学研究
2.
Determination of trace iron in high purity silica by PHEN-OP spectrophotometry;
邻菲罗啉-OP分光光度法测定高纯硅中微量铁
6) High purity silicon
高纯硅
1.
Compensating impurity in high purity silicon single crystal investigated by photo-thermal ionization spectroscopy;
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
补充资料：高纯硅烷
分子式：SiH4
CAS号：
性质： 纯度大于99.999％,要求H2<50cm3/m3,O2+Ar<lcm3/m3,CH3<1cm3/m3,CO+CO2<1cm3/m3,H2O<lcm3/m3,总氯<0.14mm3/m3。在常温常压下为恶臭的无色气体。在空气或卤素气体中发生爆炸性燃烧。与金属卤化物激烈反应,也与CCl4反应,对硅烷不能用氟里昂灭火剂。熔点-185.0℃。沸点-111.5℃。一般采用低温吸附连续液化精馏提纯工艺,在生产中对气体成分进行连续监控,制得产品。用于半导体生产中的生长高纯单晶硅、多晶硅外延片以及二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、非晶硅等化学气相淀积工艺。并广泛用于非晶硅太阳能电池、硅复印机鼓、光电传感器、光导纤维、特种玻璃等的生产研制。
CAS号：
性质： 纯度大于99.999％,要求H2<50cm3/m3,O2+Ar<lcm3/m3,CH3<1cm3/m3,CO+CO2<1cm3/m3,H2O<lcm3/m3,总氯<0.14mm3/m3。在常温常压下为恶臭的无色气体。在空气或卤素气体中发生爆炸性燃烧。与金属卤化物激烈反应,也与CCl4反应,对硅烷不能用氟里昂灭火剂。熔点-185.0℃。沸点-111.5℃。一般采用低温吸附连续液化精馏提纯工艺,在生产中对气体成分进行连续监控,制得产品。用于半导体生产中的生长高纯单晶硅、多晶硅外延片以及二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、非晶硅等化学气相淀积工艺。并广泛用于非晶硅太阳能电池、硅复印机鼓、光电传感器、光导纤维、特种玻璃等的生产研制。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条