1) high-purity dimethyl aluminum hydride
高纯二甲基氢化铝
2) hydrodimethyl-Aluminum
氢化二甲基铝
3) high purity aluminium hydroxide
高纯氢氧化铝
1.
Preparation of high purity aluminium hydroxide by aluminium hydrolyzation;
金属铝水解制备高纯氢氧化铝
4) high-purity diethylarsenic hydride
高纯二乙基氢化砷
5) high-purity trimethylaluminum
高纯三甲基铝
6) bis[4-(1,1-dimethylethyl)benzoato-o]hydroxy-aluminu
二[4-(1,1-二甲基乙基)苯甲酰-氧]氢氧化铝
补充资料：高纯二甲基氢化铝
分子式：(CH3)2AlH
CAS号：
性质：熔点`17℃。lgp(mmHg)=8.92-2575/T(p为蒸气压；T为温度；1mmHg=133.3Pa)。采用减压精密精馏或分子精馏、加合物法提纯制备。在空气中自燃的液体，对空气和水十分敏感。在MOCVD工艺中制备AlGaAs等光电子材料中，此源具有高的蒸气压和洁净分解的两大优点。在室温下呈三聚体，是已知效果最好的铝源。此源已在300℃淀积出十分洁净的铝膜。在700℃以下可淀积出极佳特征的AlGaAs薄膜，并用于制造GaAs/AlGaAs的高速光电装置中。
CAS号：
性质：熔点`17℃。lgp(mmHg)=8.92-2575/T(p为蒸气压；T为温度；1mmHg=133.3Pa)。采用减压精密精馏或分子精馏、加合物法提纯制备。在空气中自燃的液体，对空气和水十分敏感。在MOCVD工艺中制备AlGaAs等光电子材料中，此源具有高的蒸气压和洁净分解的两大优点。在室温下呈三聚体，是已知效果最好的铝源。此源已在300℃淀积出十分洁净的铝膜。在700℃以下可淀积出极佳特征的AlGaAs薄膜，并用于制造GaAs/AlGaAs的高速光电装置中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条