2) grain boundary layer semiconductor ceramic capacitor
晶界层半导体陶瓷电容器
1.
The grain boundary layer semiconductor ceramic capacitors were manufactured by one-time sintering technology.
采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。
3) strontium titanate-based grain boundary layer capacitor ceramics
钛酸锶基晶界层电容器陶瓷
4) boundary layer capacitor chip
边界层电容器片
5) GBBLC
边界层陶瓷电容器
1.
Study on GBBLC Coated with Oxide;
MnO_2对边界层陶瓷电容器的影响
2.
Grain Boundary Barrier Layer Capacitor (GBBLC) is one of the most important kind of ceramic capacitors and show very high apparent dielectric constant .
边界层陶瓷电容器(Grain Boundary Barrier Layer Capacitor)是半导体陶瓷电容器中的最重要的一种，具有很高的表观介电常数。
补充资料：晶界层电容器
分子式：
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条