1) ZnCdTe-ZnTe quantum wells
ZnCdTe-ZnTe量子阱
1.
ZnCdTe-ZnTe quantum wells (QWs) have been grown on Si (100) substrates in a horizontal-type low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system.
在本文中,我们用低压有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在ZnO 覆盖Si(100)衬底上外延生长了ZnCdTe-ZnTe量子阱结构,并与直接在Si(100)衬底上生长的同一结构进行了比较,通过对它们表面形貌及发光光谱的比较,我们发现,有ZnO 覆盖层时,外延层的表面裂纹消失,并且发光效率明显提高。
2) ZnSeTe/ZnTe multiple quantum wells
ZnSeTe/ZnTe多量子阱
3) ZnSe-ZnTe MQWs
ZnSe-ZnTe多量子阱
4) Cd x Zn 1-x Te/ZnTe MQW
Cd_xZn_(1-x)Te/ZnTe多量子阱
5) Quantum well
量子阱
1.
Resonant modes in quantum well structure composed of photonic crystals with different lattice constants;
不同晶格常数光子晶体构成的光量子阱中的共振模
2.
Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells;
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
3.
Light emitting model of GaN LED quantum well;
GaN LED量子阱光发射模型
6) photonic quantum well
光量子阱
1.
Modulated photon confined states with graded-index photonic quantum well structure;
渐变折射率光量子阱对束缚态能级的调整
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条