1) Non-linear post-processing
非线性后置处理
2) non-linear processing
非线性处理
1.
Semantic image segmentation integrating gradient reconstruction and non-linear processing;
结合梯度重建和非线性处理的语义图像分割
2.
Aimed at resolving the problems of sensitivity to noise and over-segmentation existing in traditional watershed algorithm,a watershed segmentation scheme based on double opening and closing reconstruction and non-linear processing was proposed.
针对传统分水岭分割算法对噪声敏感和易于产生过分割问题,提出了一种基于开闭二次重建和非线性处理的分水岭图像分割方案。
3) nonlinear processing
非线性处理
1.
The design has introduced the nonlinear processing method in data processing.
该设计在数据处理中引入了非线性处理方法,文中详细讨论并解决了信号测量过程中非线性所带来的问题,并给出了非线性处理过程中所造成的误差分析,在实际应用中有较高的实用价值。
4) Post-process
后置处理
1.
Application of Post-process Program of MasterCAM in SIEMENS CNC;
MasterCAM后置处理程序在SIEMENS系统中的应用
2.
Nonlinear Error Control and Post-process in Five-Axis CNC Machining;
五轴联动数控加工非线性误差控制及后置处理
3.
The post-process for hole-machining of Heidenhain iTNC530
海德汉系统钻孔循环后置处理的开发
5) post processing
后置处理
1.
Study on the Post Processing Algorithm for Five-axis CNC Machine with Dual Rotary Tables;
双转台五轴数控机床后置处理算法研究
2.
Advanced Programming Method of Post Processing File of MasterCAM and Its Application;
MasterCAM后置处理文件的高级编程方法及其应用
3.
Study on the Post Processing of MasterCAM;
MasterCAM的后置处理技术研究
6) post-processing
后置处理
1.
Study of post-processing and Virtual simulating of VDW-320 5axis Numerical Control Machine;
VDW-320五轴数控机床后置处理与虚拟仿真技术研究
2.
Post-processing for NC Machining on Parallel-link Machine Tool;
虚拟轴机床数控加工后置处理
3.
Generation of cutter location data and post-processing for parallel kinematic machine tools;
并联机床刀位文件生成及后置处理
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条