1) ferroelectric film device
铁电薄膜器件
1.
The relative movement of oxygen vacancies and the entrapment of oxygen vacancies at ferroelectric-electrode interfaces determined the fatigue behavior of ferroelectric film devices.
氧空位的相对移动及在电极/铁电薄膜界面的捕获是引起铁电薄膜器件产生疲劳的一个重要原因。
2) thin-film microelectrode device
薄膜微电极器件
1.
A silicon integrated thin-film microelectrode device was developed by using silicon micromachining techniques.
提出用发展中的硅微机械加工技术设计制作硅一体化薄膜微电极器件。
3) thin film thermoelectric device
薄膜热电器件
4) thin film thermo-electron device
薄膜热电子器件
5) thin film microelectronics
薄膜微电子器件
6) ferroelectric film
铁电薄膜
1.
The influence of the surface and interface effects on the polarization distribution in ferroelectric films;
表面和界面效应对铁电薄膜极化分布的影响
2.
Effect of stress on the ferroelectric properties of ferroelectric film;
应力对铁电薄膜电滞回线及蝶形曲线的影响
3.
Separated precursor-monomer for sol-gel preparation PZT ferroelectric film;
Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术
补充资料：制备铁电陶瓷薄膜的水平层流100级超净工作室
制备铁电陶瓷薄膜的水平层流100级超净工作室
制备铁电陶瓷薄膜的水平^流1 00级超净工作室 西}交通大学供稿
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条