1) electrical parameter batch measurement platform
电学参数批测试平台
3) parameters test rig
参数测试台
1.
Data-processed method of bogie parameters test rig
转向架参数测试台数据处理方法
5) platform parameters
平台参数
1.
To plan design process of mass customization,the product platform was defined as platform parameters,individual parameters and modules,then planning process of product platform was proposed which was composed of product family planning and product family modeling.
为规划大批量定制设计进程,通过将产品平台定义为平台参数、定制参数和模块,提出了由产品族规划与产品族建模构成的产品平台规划进程,并根据客户需求变化类型及客户化程度的不同,对定制设计作了横向、纵向和综合的层次性分类,并据此进一步提出了基于产品平台的纵向定制设计进程。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条