1) InP heterostructure
InP异质结
2) InGaAsp/InP heterojunction
InGaAsp/Inp异质结
3) InGaAsP/InP double heterostructures
InGaAsP/InP双异质结构
4) InGaAsP/InP heterostnjcture
InGaAsP/InP异质结构
5) InP double heterojunction bipolar transistor
InP双异质结双极晶体管
1.
A physical model of small-signal InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT) is developed,which takes into account the base-emitter and collector-emitter metalisations by using two additional capacitances C_mb and C_mc.
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题。
6) GaAs/InP heteroepitaxy
GaAs/InP异质材料
补充资料：起结
1.诗文的起句和结句﹑开始和结尾。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条