1) Nonlinear transmis
非线性透过
2) nonlinear transmittance
非线性透过率
1.
The nonlinear transmittancespectrum from 720 to 1100nm was measured and there was nonlinear absorption in the range of 800-1100nm.
报道了一种有机双光子吸收染料,反式-4-[对-(N,N-二苯胺基)苯乙烯基]-N-甲基碘化吡啶(即trans-4-[p-(N,N-diphenylamino)styryl]-N-methylpyrid-inium iodide,简称DPASPI)的线性和非线性光学性质,测试了该染料720～1100nm 的非线性透过率,发现从800～1100nm 波段有双光子吸收效应,吸收最强处在930nm 附近。
3) linear transmittance
线性透过率
4) radiability
[,reidiə'biliti]
射线透过性
5) nonlinear seepage behavior
渗透非线性
1.
The calculated values of pore pressure taking nonlinear seepage behavior into account are closer to the measured ones.
通过研究孔隙率和孔隙水黏滞性的改变规律,在数值分析时,引入了孔隙率随应力改变和孔隙水黏滞性随温度改变的渗透非线性分析方法。
6) nonlinear process
非线性过程
1.
On-line nonlinear process monitoring based on sparse kernel principal component analysis;
基于稀疏核主元分析的在线非线性过程监控
2.
Through the simulation of a nonlinear process——pH controlling process, we can see the good stability and dynamic response of the algorithm.
通过对一个控制 p H值的非线性过程的仿真研究 ,表明该算法具有良好的稳定性和动态响应特
3.
Based on kernel ICA (KICA) model,the main contributions are as follows: firstly,a method to sort the rows of demixing matrix was introduced and the number of independent components was determined; secondly,the monitoring indices were extended into high-dimensional space by "kernel trick",and so a nonlinear process monitoring method was proposed.
在利用核ICA(KICA)建立过程非线性模型的基础上,根据核技巧,给出了一种高维空间分离矩阵的排序和独立元个数的选择方法,并将监控指标扩展到高维空间,从而提出一种基于KICA的非线性过程监控方法,解决了ICA对非线性过程监控效果不理想的缺点。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条