1) crystalline silicon PV module
晶体硅光伏组件
1.
In this paper we have studied the main field failure factors of crystalline silicon PV module, propose relevant methods in design and manufacture process, in order to improve reliability of crystalline silicon PV module.
本文分析研究了晶体硅光伏组件野外应用中主要失效因素,提出在设计制造过程中采取相应的措施,以提高晶体硅光伏组件的可靠性。
2) a-Si PV Module
非晶硅光伏组件
3) PV module
光伏组件
1.
A research of hot spot on PV module with Pspice;
基于Pspice的光伏组件热斑现象仿真
2.
R&D of high performance EVA sheet for PV modules
光伏组件用高性能EVA胶膜的研发
3.
This paper introduces how to choose the PV module,the light source,the energy storage equipment and how to design the controller and the whole system,and I hope it will g.
本文介绍了光伏组件的配置、光源的选择、储能装置的选用、控制器的设计以及整个系统的设计方法,希望能给读者以参考。
4) photovoltaic(PV)module
光伏(PV)组件
5) photovoltaic photorefractive crystal
光伏光折变晶体
1.
Temperature effect on the self-deflection of Guassian beam in photovoltaic photorefractive crystal;
温度对光伏光折变晶体中高斯光束自偏转的影响
6) crystal
[英]['krɪstl] [美]['krɪstḷ]
晶体组件
补充资料：二磷化硅镉晶体
分子式： CdSiP2
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条