1) non-classical nonlinear
非经典非线性
1.
By studying the meso-scale mechanism of the frequency effect of the non-classical nonlinear behavior, a non-classical nonlinear theory model with frequency effect is established.
通过对岩石的非经典非线性时频效应的微观机制的研究,建立了能够反映岩石的非经典非线性时频特征的理论模型。
2) non-classical property
非经典性
1.
In this paper,we calculate the uncertain relation of even and odd coherent state and discuss about their non-classical property,especially that of even coherent state.
计算了奇偶相干态的测不准关系,并讨论了它们的非经典性质,特别是偶相干态的非经典性质。
3) nonclassical properties
非经典特性
1.
The nonclassical properties of the photon-added two-mode squeezed vacuum state and its superposition state;
光子双模压缩真空态及其叠加态的非经典特性
2.
The excited double-mode SU(2) coherent state is introduced and its nonclassical properties are investigated with numeric method.
构造了激发双模SU(2)相干态|M,ξ;m>=AMξma+mb+m|M,ξ>,并用数值方法研究其非经典特性。
3.
The generalized even and odd coheren t states (E-O CSs) of a finite-dimensional space non-harmonic oscillator are c onstructed,and their nonclassical properties are studied by numerical method.
构造了有限维空间非谐振子广义偶奇相干态 ,并运用数值计算方法研究了其非经典特性。
4) non-classical characteristic
非经典特性
1.
The non-classical characteristic of optical field with negative P representation;
负P表示光场的非经典特性
5) non classical properties
非经典性质
1.
Influence of the frequency detuning on the non classical properties of the light field are discussed.
本文研究了与双模真空场作用的级联型三能级原子系统中光场的平均光子数、二阶相干度以及二阶压缩的时间演化规律，着重讨论了失谐量对光场非经典性质的影响。
2.
In this paper, the preparation of Schrdinger’s cat states in the quantum optics and their non classical properties are investigated.
对量子光学中Ｓ－ ｃａｔ 态的制备和非经典性质进行了探索，指出单模具有亚泊松光子统计及光子反聚束效应，双模在正交的分量上都具有压缩性、叠加性、存在“和压缩”。
6) non-classical linear dynamic system
非经典线性动力系统
1.
Vibration analysis of non-classical linear dynamic systems;
非经典线性动力系统的振动分析
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条