1) near infrared laser camouflage
近红外激光隐身
2) laser and infrared stealth
激光与红外复合隐身
3) near infrared laser
近红外激光
1.
A detection method for obtaining the micro bulk defect size in semiconductive materials by analyzing near infrared laser scattering light distribution is presented.
提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法。
4) infrared stealth
红外隐身
1.
The principle and the components of infrared stealthy coatings are introduced in the paper.
介绍了红外隐身涂料的作用机理及其组成,综述了红外隐身材料和涂料的特性及其研究现状;概括了红外隐身涂料中各种颜料、填料及粘合剂的选择要求;阐述了红外隐身涂料的各种影响因素及其作用机理,并展望了红外隐身涂料的发展前景。
2.
In order to adapt the request of environment-protecting and military disguise,we can use stable acrylic acid monomer ,proper initiator and suitable temperature to create high transparent infrared stealth resin of high solid but low viscosity, high transparency but low emissivity and good performance of becoming the membrane in the infrared wave band.
为了适应环保及军事伪装的要求,采用稳定的丙烯酸单体,适量的引发剂,适宜的反应温度,研制出高固体分、低黏度且在红外波段透明性高、发射率低、成膜性能优良的高透明红外隐身涂料用树脂。
3.
The theory and application of the resin matrix composite in infrared stealthy technique,radar stealthy technique,and multiple spectrum stealthy technique are presented.
阐述了树脂基复合材料在红外隐身,雷达隐身、多谱隐身技术中的隐身原理及应用情况,分析了树脂基复合材料在隐身技术中的地位和广阔应用前景。
5) infrared camouflage
红外隐身
1.
Study on the properties of infrared camouflage fiber;
红外隐身纤维的性能分析
2.
The contents of electro-optic camouflage and property characterizations of optic camouflage, infrared camouflage and laser camouflage are introduced,including methods of how to characterize the properties of camouflage materials and how to evaluate camouflage effectiveness.
介绍了光电隐身的内容,阐述了光学隐身、红外隐身、激光隐身性能的表征方法,包括材料性能的表征方法和目标隐身效果的评价方法。
3.
5 emissivity of the material is satisfactory to the requirement of infrared camouflage.
研究了红外辐射率对双波段红外隐身效果和辐射温度的影响。
6) IR stealth
红外隐身
1.
Preparation of Microencapsulated phase change materials and its application in IR stealth paint
微胶囊相变材料制备及其在红外隐身涂料中的应用
2.
In this paper,the principle of the IR stealthy technique is summarized,the current status of the IR stealthy techniques for surface warships is analyzed and some measures taken in the IR stealthy techniques for surface warships are presented.
本文在概述红外隐身技术原理的基础上,通过对水面舰艇红外隐身技术发展现状的分析,介绍了水面舰艇红外隐身技术所采取的措施,最后对水面舰艇红外隐身技术的发展趋势进行了预测。
3.
After adopting IR stealth techniques,the IR radiation of objects can be depressed and their probability to be detected can also be reduced.
目标采用红外隐身技术后,其红外辐射会降低,因而其可探测性也会降低。
补充资料：红外半导体激光材料
红外半导体激光材料
infrared semiconductor laser materials
红外半导体激光材料infrared semieonduetorlaser materials激光波长大于0 .55月m的半导体激光材料。由于红外波长范围广阔，相应半导体激光材料种类很多(见表)。用于波长大于2月m的红外半导体激光材料，通常按性质分为两类，一类是Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体，其覆盖波段为2一4月m。另一类是W一VI族铅盐半导体，覆盖波段为3一30召们no红外半导体激光材料波长(解m)0 .85一0.900 .93一1.0 1 .0一1.7 2 .0一4.0激活层GaASInGaAsIn卜xGaxAs卜，P，InGaAssbInAsPSb 限制层AIGaAsAIGaAsInPAIGaAssbAIGaPSb 衬底GaASGaAsInPGasbInAs分类m一V族化合物半导体3一30}PbEuseTe 1 PbseTe 1 PbTe份一VI族化合物半导体 Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体制造用于红外光纤通信，红外传感、激光雷达及分子光谱学等方面的中红外半导体激光器。Gal一xlnxAsysbl一，四元合金系统，当y/x约0.9时，这种化合物可同Gasb晶格匹配。从原理上说，x=0一1时，波长凡可在1.7一4.3召m范围变化。但是，工艺上实现覆盖这一波段范围比较困难。例如采用液相外延(LPE)法生长材料，由于中心区(x二0.18一0.84)存在混合隙，目前最长波长做到2.39#m。由于液相外延是一种热力学平衡过程，在这一组分范围内，液相和固相间存在大的分凝，衬底相对熔体处在不稳定状态，因此不能获得稳定的固相。红外光纤最低损耗波长为2.55尽m，获得这一波段激光器所需的材料组分为x约0 .27，正好在混合隙内。因而需采用分子束外延(MBE)和金属有机气相外延(MOVPE)生长方法制备。Ga，_xlnxAsysb，_，为有源区激光材料，其限制层材料选择Gal一二Al二As，Sbl一y’通过选择合适的组分，使其禁带宽度比GalnAssb宽，而折射率比其低。因此在Gasb衬底上可生长出GaAIAssb/GalnAssb/GaAIAssb/Gasb双异质结构。 2一4召m波段另一种可供选择的激光材料是生长在InAs衬底上的InAsl一二一yPxsb，异质结材料。但利用这种材料制成的激光器热特性较差，难以实现室温工作，使用很少。此外还有Insb、InGaAs等材料，虽已作出激光器，但由于器件性能不好，也很少使用。 W一VI族铅盐半导体带宽温度系数非常大，特别适合制造半导体可调谐激光器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条