1) semiconductor micro-structural materials
半导体微结构材料
1.
The present status and future prospects of functional information materials, mainly semiconductor micro-structural materials, will be firstly introduced in this paper.
本文将首先介绍国内外信息功能材料,主要是半导体微结构材料的发展现状与趋势;进而,就如何提高我国信息功能材料研究的科学水平和创新能力,实现我国信息技术的跨越发展,提出一些不成熟的看法与大家商讨。
2) semiconductor microstructures
半导体微观结构
1.
In custom-designed semiconductor microstructures the desired potential differences are defined locally by the accurate positioning of heterojunctions into the crystal.
在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。
3) II-VI semiconductor nanomaterials and nanostructures
II-VI族半导体纳米材料和纳米结构
4) microscopy of semiconducting materials
半导体材料显微学
5) semiconductor material
半导体材料
1.
Fabrication of photonic crystal on semiconductor materials by using focued ion-beam;
聚焦离子束研制半导体材料光子晶体
2.
Development and prospect of semiconductor materials;
半导体材料的发展及现状
3.
Analyse the standard of SEMI semiconductor material;
SEMI半导体材料标准的分析
补充资料：半导体材料晶体结构
半导体材料晶体结构
crystal structure of semiconductor
bondoot.eail旧0 Jingt一J旧gou半导体材料晶体结构(crystal Strueture。fsemieonduetor)决定半导体材料的基本物理特性，即原子或离子的长程有序的周期性排列。按空间点阵学说，晶体的内在结构可概括为一些相同点在空间有规则地作周期性的无限分布。点子的总体称为点阵，通过点阵的结点可作许多平行的直线组和平行的晶面二舞翅嚷组。这样，点阵就成网格，称为晶格。由于晶格的周期性，可取一个以格点为顶点、边长等于该方向上的周期…井汗…下洲物半导体中有部分呈黄铜矿型结构，金刚石型、闪锌矿;燕蒸封甲下硫原子呈六砷堆集，而锌原子则占据四面体间隙的常见的半导体材料的晶体结构类型一半，与闪锌矿相似，它们的每一个原子场处于异种原.二。「{，二，、。**、， .，二、。，二，，，、，扒，。.J目子*.j/J、J二~J兀11们、a一金刚石型;b一闪锌矿型;子构成的正四面体中心。但闪锌矿结构中，次近邻异种一纤锌矿型;价一氮化钠型原子层的原子位置彼此错开60。，而在纤锌矿型中，则是上下相对的。采取这种方式使次近邻异种原子的距选一格点为原点O，令坐标轴与晶轴重合，选择或平移离更近，会增强正负离子的相互吸引作用，因此，纤锌通过原点O的晶列。在晶列上任选一点A，作矢量矿型多出现于两种原子间负电性差大、化学键中离子成，用基矢表示丽一r升s砰。万。将r、s、。三数化碳议”间创一兀1七甘刊甲。为互质整数m、n、p，记作〔m，n，p〕，即晶向指数。它标灌…冀- 面，面间间距最大，而共价键密度最低，{110}面次之。 在晶格中过格点可连成无数直线，这样的直线叫因此，硅、锗晶片易沿{111}面解理，{110}面是第二解晶列。格点在晶列上呈周期分布。一系列平行的晶列叫理面，常常用于划片。闪锌矿结构存在极性，晶片易沿晶列组。晶列组的取向叫晶向，用晶向指数标示。设想{11。}面解理。{10。}和(110)硅片比(1 11)硅片易破碎。硅片界面态和固定电荷按(211)>(110)>(100)顺序降低。因此，金属氧化物半导体(MOS)等表面器件采用(100)硅片而不采用(111)硅片。腐蚀速率随悬挂键密度增加而增大，硅片腐蚀速率按<100)>(11。)>(111)顺序减少，利用各向异性腐蚀通过510:掩膜在(100)硅片上开出V一沟槽。GaAS的(111)A面和(111)B面具有不同的腐蚀特性，A面出现蚀坑，B面则无。AISb、 Insb、InAS、InP也有类似现象。GaAS晶体生长时，B面生长速度最慢。外延生长也有极性效应，且对杂质的掺入、补偿度等有影响，硅、锗晶体生长以[111]晶向最慢。
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