1) arc plasma vapor phase reaction
等离子气相反应
2) arc plasma reactor
等离子弧气相反应炉
3) gaseous ionic reaction
气相离子反应
4) ion molecule reaction
气相分子离子反应
5) Gas-phase ion-molecular reaction
气相离子分子反应
6) ion layer gas reaction
浸渍离子层气相反应
1.
Thin films of CuInS_2 were prepared on glass substrates by ion layer gas reaction method using CH_3CN as solvent, CuCl_2 and InCl_3 as reactants and H_2S as sulfur source.
以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜。
补充资料：等离子化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条