1) poly(alkylthiophene)
异戊基取代聚噻吩
2) poly(alkoxythiophene)
戊氧基取代聚噻吩
3) Poly(3-alkylthiophenes)
烷基取代聚噻吩
4) substituted polythiophene
取代聚噻吩
1.
Three kinds of substituted polythiophenes,3-hexyl polythiophene(P3HT),3,4-dipentyl polythiophene(P34PT) and 3-octoxyl polythiophene(P3OOT) were synthesized.
报道了3种取代聚噻吩,3-己基聚噻吩(P3HT)、3,4-二戊基聚噻吩(P34PT)、3-辛氧基聚噻吩(P3OOT)的合成方法1、H-NMR测试结果及UV-Vis吸收光谱和荧光光谱分析结果。
5) poly(3-alkl)thiophene
烷基取代聚噻吩(Pat)
6) poly(3-dodecylthiophene)
十二烷基取代聚噻吩
补充资料：聚异萘并噻吩
分子式：
CAS号：
性质：为萘环直接与聚噻吩共轭体系并接的导电聚合物。其中萘基与聚噻吩体系中的π电子相互共轭，与聚噻吩相比具有更大离域性。萘基的可见光吸收系数较大，聚噻吩的线性共轭结构有利于光产生载流子的迁移，因此在理论上讲是理想光导聚合物。聚异萘基并噻吩的合成可以以萘并噻吩为原料，通过在催化剂作用下的聚合反应制备，或者通过电化学氧化聚合反应，在电极表面生成膜型聚合物。由于很多实验因素影响聚合物的聚合度，而聚合度是影响电导率的主要因素，对其电导率没有比较统一的报道。
CAS号：
性质：为萘环直接与聚噻吩共轭体系并接的导电聚合物。其中萘基与聚噻吩体系中的π电子相互共轭，与聚噻吩相比具有更大离域性。萘基的可见光吸收系数较大，聚噻吩的线性共轭结构有利于光产生载流子的迁移，因此在理论上讲是理想光导聚合物。聚异萘基并噻吩的合成可以以萘并噻吩为原料，通过在催化剂作用下的聚合反应制备，或者通过电化学氧化聚合反应，在电极表面生成膜型聚合物。由于很多实验因素影响聚合物的聚合度，而聚合度是影响电导率的主要因素，对其电导率没有比较统一的报道。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条