1) GaN1-xPx
GaN1-xPx
1.
The wurtzite structure GaN1-xPx ternary alloys systems with a wide modulatory band gap, are useful for ultraviolet and infrared light emitting devices.
纤锌矿结构GaN1-xPx三元合金具有宽的可调制带隙,可用于从紫外到红外的发光器件。
2) GaN_1-xP_x ternary alloy
GaN1-xPx三元合金
3) Gallium
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
4) Ga
Ga
1.
Influences of Gallium on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-x%Al-2%Ga Alloys;
Ga对铸态Mg-x%Al-2%Ga镁合金显微组织和力学性能的影响
2.
Preliminary Feasibility Study of Extracting Ga、Nb、Li and Sc from Bauxite Ore;
从铝土矿中提取Ga、Nb、Li、Sc的可行性初步研究
3.
Effects of Ga on electrochemical properties of Al-Zn-In sacrificial anodes;
Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响
5) Ga-In-As
Ga-In-As
1.
THERMODYNAMICS OF Ga-In-As SYSTEM UNDER LATTICE DEFORMATION;
晶格形变情况下Ga－In－As体系热力学研究
6) GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
参考词条
Ga/HZSM-5
Pt-Ga
~（67）Ga
GA-BP
富In（Ga）
e-GA
FP-GA
掺Ga
Ga-ZSM-5
~（71）Ga
L-GA
（67）~Ga
GA-Simplex
~（68）Ga
Ca2+-GA
果酸回兑
Turbo处理
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。