补充资料：超导线材的剩余电阻比测定

超导线材的剩余电阻比测定
measurement of residual resistance ratio in composite superconducting wire

　　试样图1剩余电阻比测定示意则测得的样品室温电阻值与低温下的电阻值之比为超导材料稳定化基材的剩余电阻比。国际上商品化的超导材料的剩余电阻比常在120一150。一般对于氢泡室、核磁共振人体成象装置等低场使用的超导磁体，对剩余电阻比的要求较高;而对于高场使用的超导磁体，对所使用的超导材料的剩余电阻比的要求则可以降低，因为此时磁场对铜、铝的电阻的影响将起主要作用。n 工n，一..1 ︵口甲。一X︶寰┌─┬───┬─┬─┬───┬──┬─┐│ │ │ │ │ │ │ │├─┼───┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │洲 │ │ │J.训甲│声声│尸││ │ ├─┼─┼───┤ │ ││ │ │( │ │ │ │ │├─┼─┬─┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │ │ │ │ │ │ │ │├─┼─┼─┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │ │ │ │ │ │ │ │├─┼─┼─┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │ │ │ │ │ │ │ │└─┴─┼─┼─┼─┼───┼──┼─┤ │. │ │ │ │ │ │ └─┴─┴─┴───┴──┴─┘12 16 20 24 28 32 温度(K、图2 NbTi样品电阻随温变化曲线(华崇远)超导线材的剩余电阻比测定measurement ofresidual resistance ratioin eomPosite supereonduet-ing wire超导线材在室温时的电阻率与在4 .ZK时电阻率之比，即肠。。K/脚.2K称为材料的剩余电阻比。 在金属和合金中，电阻是由晶格对于自由电子的散射所造成的，即电阻率可由如下公式表达 p=肠+p(T)式中第二项p(T)主要反映了晶格的振动对于电子散射的影响，是随温度而变化的。在室温时这一项占主要地位。第一项两反映了晶格的畸变对于电子散射的影响，它和晶格的位错及杂质元素等有关。随着温度降到液氦温度附近，第二项的作用趋于零，而第一项的作用占主要地位。结果金属的电阻呈现出不随温度而变化的特点，这就是剩余电阻。 由于在超导材料中磁通蠕动和局部的磁通跳跃是本征性的，不可避免的，为防止由此而引起的超导状态的碎灭，实用超导材料如NbTi、Nb3Sn等都需要在超导体外面覆以铜、铝等稳定化材料以增加超导体的稳定性。

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