2) surface doping
表相掺杂
3) doped phase
掺杂相
4) gas-doping
气相掺杂
1.
With the help of IR and X-ray,the influence of gas-doping on PPP structure was discussed.
采用AlCl_3作为掺杂剂对聚对苯撑进行气相掺杂,考查了掺杂时间、温度、暴空时间对其电导率的影响。
2.
1Te wafers by In as gas-doping source under Cd/Zn equilibrium partial pressures is explored,and annealing on In-doped as-grown Cd 0.
1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 。
5) body-doping
体相掺杂
6) doping in liquid phase
液相掺杂
1.
The experimental results show that Li Mn doping in liquid phase can raise the PTC effect and the withstand voltage of the material; Si Al doping in liquid phase can decrease the resistivity of the material at room temperature and increase the withstand voltage; Y Sb doping in liquid phase can decrease the resistivity at room temperature but the PTC effect of the material is somewhat .
研究了Ｙ－Ｓｂ，Ｌｉ－Ｍｎ，Ｓｉ－Ａｌ等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣ）材料性能的影响。
补充资料：低固相钻井液
分子式：
CAS号：
性质：是一种水基钻井液。固相总含量在6％～10％(V/V)范围内，其中膨润土含量控制在3％或更低，钻屑与膨润土之比小于2:1(V/V)。
CAS号：
性质：是一种水基钻井液。固相总含量在6％～10％(V/V)范围内，其中膨润土含量控制在3％或更低，钻屑与膨润土之比小于2:1(V/V)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条