1) type Ⅰ methanotroph
Ⅰ型甲烷氧化菌
1.
high-density polyethylene liner (HDPE) isolation or subsurface irrigation of landfill leachate and vegetation, on community structure and diversity of type Ⅰ methanotroph in soils covering municipal solid waste landfill.
填埋场覆土中的甲烷氧化菌可削弱填埋场的温室气体释放,其中Ⅰ型甲烷氧化菌对环境条件的改变反应灵敏。
2) methanotroph
甲烷氧化菌
1.
The related current research status is introduced and a preliminary conclusion was drawn on the mechanism of methane oxidation by methanotroph,its physiolony and distribution in ecosystems,as well as potential use of methanotroph in biodegradation of gas.
甲烷氧化菌以甲烷为其唯一碳源和能源,在瓦斯治理方面具有潜在应用价值。
2.
Based on the test of adding microorganism into coal sample desorbing gas which result in coal gas degradation,regularity of coal gas degradation by microorganism and methanotroph growth in coal sample were studied.
通过对在含吸附瓦斯煤样中加入微生物降解瓦斯的试验,研究了微生物降解煤矿瓦斯的降解规律和甲烷氧化菌在煤样中的生长规律,在煤样中加入甲烷氧化菌M3011,GYJ3的混合菌种后,对CH4和CO2浓度变化进行监测。
3) Methane oxidizing bacteria
甲烷氧化菌
1.
Objective To isolate methane oxidizing bacteria from earth to study their characteristics.
目的 用好氧性培养基和 Hungte压氧操作技术相结合的方法从水稻田土壤中分离三个甲烷氧化菌分离物 ,分别命名为 MOB0 0 4、MOB0 0 7、MOB0 0 9。
2.
It has a sinifeicant importance in predicting non-standard oil-gas reservoir by using Methane oxidizing bacteria;defining the geological structure type of reservoir shows and oil-gas distribution,spotting the leak of oil-gas of reservoir s position has a significance meaning.
油气微生物勘探(M POG)技术作为一种新的地表油气勘探方法,以其直接、有效、多解性小且经济等优势日益受到全球油气勘探界的重视,尤其是利用甲烷氧化菌和丁烷氧化菌对非常规油气藏的预测和确定地址构造的含油级别和油气分布,指明油气藏泄油位置均有重要意义。
4) methanotrophs
甲烷氧化菌
1.
Type Ⅱ methanotrophs community structure in the cover soils of landfill;
垃圾填埋场覆土层Ⅱ型甲烷氧化菌的群落结构
2.
Effect of long-term different fertilization on methane oxidation potential and diversity of methanotrophs of paddy soil;
长期不同施肥下水稻土甲烷氧化能力及甲烷氧化菌多样性的变化
3.
Methane is used as its only carbon source and energy by methanotrophs,therefore,it plays an important role in balancing atmospheric methane in the whole world.
甲烷氧化菌以甲烷为其惟一的碳源和能源,在全球大气甲烷平衡中起着重要的作用。
5) methanotrophic bacteria
甲烷氧化细菌
1.
Methanotrophic bacterial cells were adsorbed on inorganic supports (activated carbon, alumina, zeolite etc.
研究了利用无机载体（活性炭、氧化铝、分子筛等）吸附法和天然藻胶（海藻酸钙等）包埋法制备的固定化甲烷氧化细菌的催化性能及其在生物反应器中的反应。
6) methanotroph
甲烷氧化细菌
1.
When a suspension of methanotrophic bacteria of Methylosinus trichosporium IMV 3011 was incubated at 32 ℃ with methane and oxygen, there was an extracellular accumulation of methanol from methane oxidation in response to the carbon dioxide addition.
在甲烷单加氧酶和脱氢酶系的作用下 ,甲烷氧化细菌MethylosinustrichosporiumIMV 30 11可以把甲烷氧化成二氧化碳 。
2.
Using a fluidized bed as immobilization system,mixed culture methanotrophic attached-films were developed on diatomite particles.
以流化床作为固定化体系 ,在硅藻土颗粒表面构建了混合培养的甲烷氧化细菌的吸附膜。
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条