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1)  Reactive gas flow rate
反应气体流
2)  total gas flow rate
反应气体流量
1.
It is found in the high rate deposition microcrystalline silicon solar cells by very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor(VHF-PECVD) that the performances of the two solar cells which use the intrinsic microcrystalline deposited at two different total gas flow rate of 100 sccm and 500 sccm as their i-layers are obviously different.
因此得出:在高压高速沉积μc-Si薄膜过程中,反应气体流量对μc-Si的纵向结构有很大影响,选择适合的反应气流量能够调节适宜的气体滞留时间,从而减小薄膜的纵向不均匀性。
3)  reactor fluid mechanics simulation
反应室气流流体力学
1.
This software package includes three subsystems: reactor fluid mechanics simulation subsystem, reaction thermodynamic simulation subsystem, deposition kinetics simulation subsystem.
该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 3 个子系统, 它们可以独立运行, 也可以联合运行。
4)  reactant gas
反应气体
1.
Major factors affecting the MCFC, including operating pressure, temperature, composition and utilization of reactant gases, impurities, current density and operating time were anlyzed.
对MCFC主要性能影响因素 :工作压力、温度、反应气体的组成和利用率、杂质、电流密度和工作时间等进行了分析。
5)  gas reaction
气体反应
6)  Gas reflux
气体反流
补充资料:气体隙流定律(law of effusion)
分子式:
CAS号:

性质:又称气体隙流定律(law of effusion)。在一定温度和一定压力下气体通过小孔向真空隙流或通过多孔壁扩散的速率和其密度或摩尔质量的平方根成反比,可表示为。该定律是T. Graham总结实验得到,亦可从分子运动论直接论证。历史上曾利用该定律的关系测定氡分子量和进行同位素分离。1940年富集235U的成功方法就是利用了235UF6和238UF6扩散速率的差别。

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