1) VCDRO
压控介质振荡器
1.
In this paper, based on the formula of phase noise and phase noise model of the oscillator, the study on an X-band low phase noise voltage-controlled oscillator (VCO), low phase noise voltage-controlled dielectric resonator oscillator (VCDRO), and two synthesizers are made.
本文在介绍了相位噪声的定义,振荡器相位噪声的产生机理和锁相环原理的基础上,开展了对X波段低相噪压控振荡器(VCO)和低相噪压控介质振荡器(VCDRO)及频率综合技术的研究。
2) DRVCO
介质谐振器压控振荡器
1.
DRVCOs andDROs are applied abroad to frequency synthesizers and microwaveoscillators because of their excellent phase performance, spectrum purityand stability.
介质谐振器压控振荡器(DRVCO)由于其优异的噪声性能、频谱纯度和稳定度广泛应用于频率合成和微波振荡源中。
4) dielectric resonator oscillator
介质振荡器
1.
Study and Design of the High Stability Phase-Locked Dielectric Resonator Oscillator;
高稳定度锁相介质振荡器的研究与设计
2.
Based on the study of dielectric resonator oscillator (DRO) ,a highly stable phase locked DRO is de signedbymeansofphaselockedloop (PLL) .
在研究介质振荡器的基础上 ,采用锁相环路控制介质振荡器方法 ,设计了一种高稳定锁相介质振荡器微波源并对设计中的几个主要问题进行了详细描述 ,通过对其相关性能测验 ,证明该高稳定锁相介质振荡器微波源是一种具有时频计量标准精度的微波源 ,填补了该领域国内空白 ,在多个领域中具有较广泛的实用价
3.
Dielectric Resonator Oscillator (DRO) can meet this requirement and the DRO also has the minimal frequency drift over temperature to keep the receiver locked into the selected channel and provide enough output power to directly drive the mixer.
介质振荡器(Dielectric Resonator Oscillator, DRO)毙够满足这一要求,同时DRO还具有温度的变化会引起最小的频率漂移来保证接收机被锁定在目的信道和提供高的输出功率来直接驱动混频器工作。
5) DRO
介质振荡器
1.
Study on a high performance DRO at X band;
一种高性能X波段介质振荡器
2.
On this background, the subject is to research the theory of designing the low phase-noise microwave oscillator based on sampling locked-phase PLL-DRO, and to realize a particular design linking project practice.
在这样的背景下,本文对基于取样锁相技术的PLL-DRO(锁相介质振荡器)低相位噪声微波振荡源的设计理论进行了研究,并结合工程实践进行了具体的设计。
3.
In this paper,a parallel feedback dielectric resonator oscillator (DRO) was introduced, and analysis method was also given.
微波介质振荡器具有体积小、频率稳定的优点。
6) dielectric resonator oscillator (DRO)
介质谐振振荡器
补充资料：压控振荡器
指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO)。其特性用输出角频率ω0与输入控制电压uc之间的关系曲线(图1)来表示。图中,uc为零时的角频率ω0,0称为自由振荡角频率；曲线在ω0,0处的斜率K0称为控制灵敏度。使振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制，就可构成一个压控振荡器。在通信或测量仪器中，输入控制电压是欲传输或欲测量的信号（调制信号）。人们通常把压控振荡器称为调频器，用以产生调频信号。在自动频率控制环路和锁相环环路中，输入控制电压是误差信号电压，压控振荡器是环路中的一个受控部件。
压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好，控制灵敏度高，调频范围宽，频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，LC压控振荡器居二者之间。
LC压控振荡器 在任何一种LC振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。图中，T为晶体管，L为回路电感，C1、C2、Cv为回路电容,Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。当输入控制电压uc改变时，Cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为
式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。
RC压控振荡器 在单片集成电路中常用RC压控多谐振荡器（见调频器）。
晶体压控振荡器 在用石英晶体稳频的振荡器中，把变容二极管和石英晶体相串接，就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围，石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体，在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。
在微波频段，用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控振荡器的性质。压控振荡器的应用范围很广。集成化是重要的发展方向。石英晶体压控振荡器中频率稳定度和调频范围之间的矛盾也有待于解决。随着深空通信的发展，将需要内部噪声电平极低的压控振荡器。
压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好，控制灵敏度高，调频范围宽，频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，LC压控振荡器居二者之间。
LC压控振荡器 在任何一种LC振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。图中，T为晶体管，L为回路电感，C1、C2、Cv为回路电容,Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。当输入控制电压uc改变时，Cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为
式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。
RC压控振荡器 在单片集成电路中常用RC压控多谐振荡器（见调频器）。
晶体压控振荡器 在用石英晶体稳频的振荡器中，把变容二极管和石英晶体相串接，就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围，石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体，在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。
在微波频段，用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控振荡器的性质。压控振荡器的应用范围很广。集成化是重要的发展方向。石英晶体压控振荡器中频率稳定度和调频范围之间的矛盾也有待于解决。随着深空通信的发展，将需要内部噪声电平极低的压控振荡器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条