1) N-doped TiO_2 film
氮掺杂TiO_2薄膜
1.
In this way, N-doped TiO_2 films are successfully prepared.
本论文提出了一种利用离子注入和后续退火制备氮掺杂TiO_2薄膜的方法，以实现TiO_2的可见光催化。
3) N-doped TiO_2
氮掺杂TiO_2
1.
Recently,the N-doped TiO_2 has attracted wide attention for its.
非金属离子掺杂克服了金属离子掺杂的缺点,并且由于其较好的可见光响应引起了许多科研工作者的关注,氮掺杂TiO_2的研究是非金属离子掺杂研究较多、也是被认为是效果较好的一种方法。
2.
Pure titania, N-doped TiO_2, co-doped with transition metal Fe3+ and rare earth metal La3+ were prepared by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法制备了TiO_2、氮掺杂TiO_2、Fe-N共掺杂改性TiO_2及La-N共掺杂改性TiO_2,对样品进行了XRD、DRS、FTIR等分析,并以活性炭纤维(ACF)为载体,制备了负载有氮掺杂TiO_2薄膜的复合光催化材料。
4) Nitrogen-doped TiO2 film
氮掺杂TiO2薄膜
5) N-doped ZnO thin film
氮掺杂ZnO薄膜
1.
In this paper, N-doped ZnO thin films were prepared by frequency(RF) magnetron sputtering, at the same time we also prepared N-doped ZnO thin films with the bias voltage.
本文主要采用了射频磁控溅射法制备氮掺杂ZnO薄膜,同时在成功制备氮掺杂ZnO薄膜的基础上又采用在基片上施加偏压的方法制备了氮掺杂ZnO薄膜,并对两种氮掺杂ZnO薄膜晶体结构,表面形貌,导电率等相关物理性能进行了分析。
6) film doping
薄膜掺杂
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条