1) changes of the Chinese Language in the life of the New Period
语文生活的嬗变
2) The Evolution of Context Study
语境研究的嬗变
3) evolve of Lingnan architecture culture
建筑文化的嬗变
4) pragmatic transmutation
语用嬗变
1.
This paper, through exploring the pragmatic transmutation of the logical relations of sufficient condition resulting from different contexts in if-conditionals, argues that we need to view the logical relations embedded in if-conditionals from an active background in order to have .
本文试对if真实条件句运用中逻辑关系在语境影响下发生的语用嬗变进行分析,试图说明,这不是逻辑规则的失当,而是要求对语言运用中的逻辑关系在动态的层次上作出审视。
2.
In this paper, we will illustrate the meaning and use of if-conditional within the framework of prediction, distance,alternative space and pragmatic transmutation of conditional relation.
本文采用认知语言学的理论框架,把对条件句的语用认识和逻辑认识纳入空间框架,从预测、心理距离、空间选择以及条件关系的语用嬗变出发对条件句形式和意义构造进行机理分析,从一个新的视角探讨不同种类IF条件句中条件句的含义和其不同动词形式的意义和使用。
6) semantic changes
语义嬗变
1.
And based on register variables and text translation theory,it studies the semantic changes and functional realization of vocatives in their translation and concludes that in the translation of vocatives,the translator must make some semantic adjustments in order to guarantee the functional realization of vocatives in the target text.
选取《红楼梦》中的称谓语及其译文为语料,以语域理论为桥梁连接语义和语言功能,以语篇翻译理论为依托,探讨特定语域变量下的称谓语在翻译中的语义嬗变与功能实现情况。
补充资料：半导体核嬗变掺杂
用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。目前，只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂，首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品，产量逐年增加。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。
目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。
目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条