2) TiO_2/SiO_2 composite nanometer thin films
TiO_2/SiO_2复合纳米薄膜
1.
The uniform transparent TiO_2/SiO_2 composite nanometer thin films were prepared via sol-gel processing on the soda lime glass substrates.
通过 sol-gel工艺在钠钙玻璃表面制备了均匀透明的 TiO_2/SiO_2复合纳米薄膜 。
3) TiO_2@SiO_2 composite oxide
TiO_2@SiO_2复合纳米粒子
1.
Highly isolated TiO_2@SiO_2 composite oxides were prepared by an improved sol-gel strategy using TBOT precursor and ethanol solvent.
本文以钛酸丁酯为前驱体,以乙醇为溶剂,采用改进的溶胶-凝胶法制备了高度分散TiO_2@SiO_2复合纳米粒子,并利用FTIR、XRD、XPS、TEM、SAED和Raman光谱等多种现代物理表征手段对高度分散TiO_2@SiO_2复合纳米氧化物的结构特性进行了系统的研究,并考察了其绿色催化性能,得出了一些有创新意义的研究结果。
5) Nafion/SiO 2 nanocomposite
Nafion/SiO_2纳米复合物
6) SiO_2-MB nanocomposite
SiO_2-MB纳米复合物
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条