1) systemic variation
体制嬗变
2) the evolution of poetic style
诗体嬗变
4) evolution
[英][,i:və'lu:ʃn] [美]['ɛvə'luʃən]
嬗变
1.
Evolution of the Social Customs in Jiangsu after the Chinese Revolution of 1911 - 1912;
革命后江苏社会风俗的嬗变
2.
Traditional Development and Evolution to the Poetic Styles of Yong Shi Poem——Discussion on Zuo Si s Eight Pieces of Yong Shi Poems;
“咏史”诗体传统的开拓与嬗变——论左思《咏史诗》八首
3.
On the evolution of the content of Taoist stories in the Six Dynasties;
论汉魏六朝道教小说内容的嬗变
5) Transmutation
[英][,trænsmju:'teiʃən] [美][,trænsmju'teʃən]
嬗变
1.
Study of Transmutation of Minor Actinides in Accelerator Driven Sub critical Fast Reactor;
次锕系元素在加速器驱动的次临界快堆中嬗变的研究
2.
Study on MAs Transmutation of Accelerator-Driven System Sodium-Cooled Fast Reactor Loaded with Metallic Fuel;
加速器驱动钠冷金属燃料快堆次锕系核素嬗变特性研究
3.
Neutronic optimal analysis for the transmutation of long-lived fission products in the blanket for the fusion-driven subcritical system;
长寿命裂变产物在聚变驱动次临界堆包层中嬗变的中子学优化分析
6) change
[英][tʃeɪndʒ] [美][tʃendʒ]
嬗变
1.
From focal to balanced development:a historical change of Chinese basic education;
我国基础教育发展观的历史嬗变
2.
Change of Eurasian Strategy and Diplomacy Option of China;
嬗变中的欧亚战略与中国外交取向
3.
On the Causes and Media in the Changes of the Spring Festival Customs in Guangzhou;
广州年俗嬗变的动因与中介
补充资料：半导体核嬗变掺杂
用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。目前，只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂，首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品，产量逐年增加。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。
目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。
目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条