1) 3G technology comparison
3G技术体制比较
3) technical comparison
技术比较
1.
Based on the introduce to the three main Redundant Array of Inexpensive Disks at present:DASraid,SANraid and NASraid,the technical comparisons are taking between SANraid to the other two.
在介绍当前三大主流磁盘阵列系统 :DASraid、 SANraid和 NASraid的基础上 ,把SANraid分别与 DASraid、 NASraid作技术比较 ,得出 DASraid安全性高、造价低 ,但连接距离短、工作效率和业务持续性不高 ;NASraid技术成熟、成本低廉、安装配置快捷方便 ,但性能略逊于 SANraid;SANraid有长距离连接、容错容灾、高可用性、集群共享、高伸缩性、扩充性及保障投资等特性 ,但造价高昂。
4) binary system code comparing
二进制代码比较技术
6) 3G technique
3G技术
1.
The rapid development of 3G technique of the third generation technology of communication has an extensive influence upon our life.
第三代通信技术——3G技术的快速发展必将对我们的生活带来广泛影响,而其在图书馆的应用也必将极大地提高图书馆的服务质量、服务水平,本文围绕3G技术发展现状及其主要业务情况,对3G技术在图书馆扩展应用的内容做了比较详细的分析,并对其关键技术及实现途径进行了认真探讨,为3G技术条件下的图书馆建设提供了新思路。
补充资料：常用模具表面处理技术的选择与比较
模具表面的质量对模具使用寿命、制件外观质量等方面均有较大的影响，因此在模具使用之前，同时也是模具制造的最后阶段，通常要进行研磨与抛光处理，以提高模具表面质量。而在研磨与抛光处理后，有很多模具制造企业和模具使用企业还运用了表面处理技术，目的在于延长模具使用寿命，提高工件的加工品质，降低模具使用成本，提高生产效率。
目前，市场上有很多种表面处理技术，形成的表面涂层也是多种多样，我们按照表面处理技术的历史选择三类具有代表性的涂层，进行比较，如下：
氮化钛膜 类金刚石膜 非晶金刚石膜
TiN DLC ta-C
技术历史 40年 20年 5年
硬度HV 2400 2000～6000 7000～8500
成膜技术 化学气相沉积 化学气相沉积 滤质阴极真空电弧
成膜温度 500℃ 500℃ 小于80℃
膜层厚度范围 1～7um 0.5～4um 0.002～2um
表面摩擦系数 0.55 0.15 0.08
膜基结合力 低 低 高
工作环境最高温度 600℃ 400～600℃ 600℃
耐腐蚀性 较好 较好 好
装饰性 好 较好 一般
价格 较低 较高 较高
重要参数说明：
1．成膜温度会影响原有钢材的质量，较高的温度使钢材产生退火或回火效应，降低基材的硬度和韧性。
2．成膜技术决定了膜层是否容易脱落，通常，较新的技术都采用离子注入法，使膜层嵌入基体表面，从而提高了膜基结合力
3．膜层硬度决定了镀件的耐磨性能
4．膜层表面摩擦系数低，有利于工件表面的润滑，也是提高耐磨性的一个因素
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条